Оценка числа астероидов с радиусами более десяти километров
Оценка числа астероидов с радиусами более десяти километров
И.А. Герасимов, Е.Л. Винников
Проведена оценка числа астероидов с радиусами не менее 10 км. Показано, что число известных астероидов составляет около 20% от общего числа. Такая же оценка дана для малых планет группы Гильды. Известное число их составляет около 40% от общего числа.
Показать АннотациюОбразование точечных дефектов на поверхности NaCl при облучении медленными ионами
Образование точечных дефектов на поверхности NaCl при облучении медленными ионами
В.Г. Бабаев, М.Б. Гусева, В.В. Хвостов
Приведены результаты исследования поверхности (100) NaCl методом спектроскопии характеристических потерь. Определен тип точечных дефектов, образующихся в результате облучения ионами аргона с энергиями от 100 до 2500 эВ и изменения их концентрации в процессе отжига.
Показать АннотациюИсследование зоны перемагничивания в окрестности зазора магнитопровода на высоких частотах
Исследование зоны перемагничивания в окрестности зазора магнитопровода на высоких частотах
В.Е. Зубов, Г.С. Кринчик
С помощью магнитооптического метода наблюдалось резкое расширение зоны перемагничивания поверхности в проводящем ферромагнетике в окрестности зазора при росте частоты. Установлено различие механизмов перемагничивания горизонтальной и нормальной к поверхности составляющих намагниченности.
Показать АннотациюОб изменении эмиссии атомов с поверхности монокристалла никеля при магнитном фазовом переходе
Об изменении эмиссии атомов с поверхности монокристалла никеля при магнитном фазовом переходе
Н.Г. Ананьева, А.Н. Матвеев, В.Н. Самойлов
С помощью моделирования на ЭВМ рассчитаны особенности эмиссии атомов из узла на поверхности грани (001) монокристалла Ni в направлениях, близких к нормали к поверхности, и впервые исследованы изменения траекторий эмитируемых частиц при p$\to$f переходе.
Показать АннотациюСтруктурные фазовые переходы в кристаллах с пространственной группой $C^5{}_{3v}$
Структурные фазовые переходы в кристаллах с пространственной группой $C^5{}_{3v}$
А.И. Лебедев
Проведен теоретико-групповой анализ фазовых переходов 2-го рода, допускаемых в кристаллах с пространственной группой $R3m(C^5{}_{3v})$ Проанализированы условия появления и устойчивость низкосимметричных фаз, рассмотрена физическая реализация параметра порядка для всех фазовых переходов.
Показать АннотациюОдномерная гравитация на замкнутом многообразии
Одномерная гравитация на замкнутом многообразии
А.П. Демичев, М.3. Иофа
Исследуется одномерная общековариантная теория поля на многообразии, топологически эквивалентном, окружности. Показана необходимость модификации в данной модели квантового BRST-оператора. Установлена связь с однопетлевыми амплитудами в полевой теории на евклидовом d-мерном пространстве.
Показать АннотациюАномалия общего содержания озона в северном полушарии в 1983 г.
Аномалия общего содержания озона в северном полушарии в 1983 г.
А.X. Хргиан, А.А. Куколева
Рассмотрены связь уменьшения общего содержания озона в Северном полушарии в 1983 г. с динамикой атмосферы, его распределение по вертикали и связь с температурой. Результаты получены на основе материала сборников «Ozone Data for the World» за 1984 г.
Показать АннотациюВлияние исходной дефектности кристалла GaAs на лазерно-индуцированную модификацию центров рекомбинации
Влияние исходной дефектности кристалла GaAs на лазерно-индуцированную модификацию центров рекомбинации
И.С. Бегичев, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко
Исследовалось лазерно-индуцированное дефектообразование в монокристаллах GaAs, исходная дефектность которых варьировалась посредством имплантации ионов $Ar^+$. Показано, что в зависимости от дозы имплантации лазерное излучение вызывает либо генерацию, либо отжиг центров. Обсуждается возможный механизм явления.
Показать АннотациюУскорение релаксации заряда медленных поверхностных состояний германия при воздействии излучения ИК-лазера
Ускорение релаксации заряда медленных поверхностных состояний германия при воздействии излучения ИК-лазера
А.В. Зотеев, В.Ф. Киселев, Г.С. Плотников
Показано, что возбуждение локальных фононов на границе раздела $Ge—GeO_2$ излучением $CO_2$-лазера приводит к ускорению релаксации заряда в медленных электронных состояниях, расположенных вблизи указанной границы.
Показать АннотациюВлияние частичной аморфизации поверхностного слоя на интегральные и дифференциальные кривые скользящей рентгеновской дифракции
Влияние частичной аморфизации поверхностного слоя на интегральные и дифференциальные кривые скользящей рентгеновской дифракции
И.А. Шипов, М.А. Андреева
Расчетным путем показано, что частичная аморфизация поверхностного слоя может уменьшать абсолютные значения интенсивности интегральных кривых РД ПВО, а наиболее достоверно обнаруживается в осциллирующем поведении «хвостов» дифференциальных кривых РД ПВО.
Показать Аннотацию