Микрофлуориметрическое исследование динамики накопления фотосенсибилизатора порфиринового типа в нормальных и злокачественных культивируемых клетках
Микрофлуориметрическое исследование динамики накопления фотосенсибилизатора порфиринового типа в нормальных и злокачественных культивируемых клетках
3.А. Хуршилова, М.И. Лейкина, Л.Л. Литинская, Е.Б. Черняева
Исследована внутриклеточная флуоресценция красителя-фотосенсибилизатора (гематопорфирина) при его связывании с нормальными и злокачественными клетками. Изучены пространственное распределение красителя в клетке, зависимость интенсивности флуоресценции клеток культуры от времени выдерживания в красителе, а также влияние изменения кислотности среды на проникновение порфирина в клетку.
Показать АннотациюПримесная электролюминесценция GaAs, легированного V
Примесная электролюминесценция GaAs, легированного V
В.С. Вавилов, В.А. Морозова, О.В. Рычкова
Обнаружена примесная электролюминесценция (ЭЛ) GaAs: V при $\epsilon >7\cdot 10^3$ В/см и T = 80-300 К. Наблюдается близкое соответствие формы полос ЭЛ спектрам поглощения в области $h\nu \sim 1,1$ эВ и фотолюминесценции в области $h\nu \sim 0,7$ эВ. Показано, что ЭЛ в области $\sim$0,7 эВ обусловлена внутрицентровыми переходами атомов $V^0$, а в области $\sim$1,1 эВ - атомов $V^-$.
Показать АннотациюОписание релаксационного процесса для неравновесных вакансий, созданных облучением
Описание релаксационного процесса для неравновесных вакансий, созданных облучением
Г.С. Жданов, К.П. Гуров, Т.В. Крюкова
Получено решение уравнений Назарова-Гурова для взаимной диффузии с учетом неравновесных вакансий для специального вида их начального распределения. Показана эволюция кривых распределения избыточных вакансий и отклонения от равновесного значения концентрации атомов сорта А для различных значений параметров.
Показать АннотациюРазвитие оптических принципов дифракции рентгеновских лучей в непрерывно-слоистых кристаллах
Развитие оптических принципов дифракции рентгеновских лучей в непрерывно-слоистых кристаллах
А.В. Колпаков, В.И. Пунегов
Оптические принципы применены к анализу дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с постоянным градиентом деформации. Физическая интерпретация рассеяния рентгеновских лучей основана на построении фазовых слоев, интерференционное взаимодействие которых объясняет структуру кривых дифракционного отражения от кристаллов с постоянным градиентом деформации. Эту модель можно использовать для построения стартового приближения при решении обратных задач восстановления строения искаженных приповерхностных слоев.
Показать АннотациюИзучение закономерностей движения пучка ионов в приповерхностном слое монокристалла методом вторичной ионно-электронной эмиссии
Изучение закономерностей движения пучка ионов в приповерхностном слое монокристалла методом вторичной ионно-электронной эмиссии
Б.А. Брусиловский
Изучены угловые зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии монокристалла меди при бомбардировке мишени вблизи ряда направлений и плоскостей с малыми индексами. Установлено, что уже на глубине выхода вторичных электронов проявляется плоскостная упорядоченность мишени.
Показать АннотациюИсследование монокристаллов сурьмы и висмута методом рэлеевского рассеяния мёссбауэровского излучения
Исследование монокристаллов сурьмы и висмута методом рэлеевского рассеяния мёссбауэровского излучения
А.А. Опаленко, А.А. Киселев, И.А. Авенариус
Методом рэлеевского рассеяния Мёссбауэровского излучения измерены анизотропные факторы Дебая-Валлера для монокристаллов Sb и Bi. Полученные результаты выгодно отличаются от результатов рентгено- и нейтронодифракционных экспериментов благодаря отсутствию вклада теплового диффузного рассеяния. Результаты могут быть использованы для развития динамических моделей кристаллов Sb и Bi.
Показать АннотациюОсобенности структуры и свойств приграничных областей аморфного гидрированного кремния
Особенности структуры и свойств приграничных областей аморфного гидрированного кремния
Ю.А. Зарифьянц, В.О. Абрамов, Ю.Л. Гальченко, А.С. Авилов, Г.М. Чукичева
Обнаружено резкое снижение интенсивности фотолюминесценции в областях пленок а-Si:Н, граничащих с металлом. Для объяснения этого эффекта исследована дифракция электронов. Путем корректной нормировки интерференционной функции рассчитаны радиальные функции распределения. Оказалось, что образцы различаются по координационным числам и радиусам первой координационной сферы. С этим связаны различия в спектре плотности состояний слоев a-Si:H на разных подложках.
Показать АннотациюИзоструктурное упорядочение в декагидрате алюмометиламмониевых квасцов
Изоструктурное упорядочение в декагидрате алюмометиламмониевых квасцов
Н.Д. Гаврилова, Ю.П. Козлова
Проведены измерения температурных зависимостей диэлектрических и пироэлектрических свойств кристаллов декагидратов алюмометиламмониевых квасцов вблизи температуры 145 К. На основании полученных результатов делается вывод о существовании при 145,3 К изоструктурного дипольного упорядочения, которое может быть связано с упорядочением молекул $H_2O$ или групп $CH_3NH_3$.
Показать АннотациюИмпульсное оптическое воздействие на приэлектродные процессы
Импульсное оптическое воздействие на приэлектродные процессы
П.В. Козлов, Е.К. Козлова, А.И. Портнягин
Изучены особенности поведения электродного потенциала при импульсном оптическом воздействии на электрохимическую ячейку, когда происходит одновременное смещение теплового, химического и электрического равновесия на границе раздела металл-электролит. Обнаружено, что скачок потенциала достигает 0,5-0,6 В. Времена вывода системы из равновесия и возвращения на несколько порядков превышают длительность лазерного импульса.
Показать АннотациюСверхтонкие поля на ядрах $^{27}$Al в сплавах системы (Co$_{1-x}$Cu$_x$)$_2$MnAl
Сверхтонкие поля на ядрах $^{27}$Al в сплавах системы (Co$_{1-x}$Cu$_x$)$_2$MnAl
П.Н. Стеценко, В.В. Суриков, В.С. Покатилов, А.И. Ласкин, Ю.И. Авксентьев
Экспериментально определены значения параметра решетки, среднего магнитного момента и cверхтонкого поля, на ядрах $^{27}$Al при Т=4,2 К в сплавах системы (Co$_{1-x}$Cu$_x$)$_2$MnAl. Обсуждение результатов проводится с привлечением модели объемного перекрытия.
Показать Аннотацию