Экспериментальное исследование распределения плотности паров иода за фронтом ударной волны в условиях сильной диссоциации
Экспериментальное исследование распределения плотности паров иода за фронтом ударной волны в условиях сильной диссоциации
В.Я. Овечкин, Н.А. Генералов
Приводятся результаты экспериментального измерения плотности паров иода за фронтом ударной волны в условиях, когда степень диссоциации близка к единице. Проводится сравнение экспериментальных данных с расчетными.
Показать АннотациюО косвенном действии притяжения Солнца на движение вблизи треугольных точек либрации системы Земля — Луна
О косвенном действии притяжения Солнца на движение вблизи треугольных точек либрации системы Земля — Луна
Л.Г. Лукьянов
Получено общее решение уравнений в вариациях, описывающих плоское движение тела бесконечно малой массы вблизи треугольных точек либрации системы Земля — Луна с учетом косвенного действия притяжения Солнца.
Показать АннотациюКвантово-механический расчет сдвига уровней атомов под действием мощного пучка света
Квантово-механический расчет сдвига уровней атомов под действием мощного пучка света
Ж. Лошак, С.Ф. Шушурин
Расчет экспериментально наблюдаемых сдвигов энергетических уровней атомов под действием переменных электромагнитных полей на основе метода вариации постоянных Дирака во втором приближении теории возмущений приводит к появлению расходящихся секулярных членов. Для их устранения используется метод усреднения Крылова— Боголюбова. Подробно рассмотрен случай сдвига уровней под действием мощного пучка некогерентного света. Использована модель некогерентного света, предложенная ранее для исследования некоторых вопросов дифракции.
Показать АннотациюЯМР спектры и фазовые переходы в монокристалле оксиацетата бериллия
ЯМР спектры и фазовые переходы в монокристалле оксиацетата бериллия
О.П. Ревокатов, Ш. Левай, А.Н. Чугаева
Изучена угловая зависимость второго момента линии поглощения ЯМР спектра монокристалла оксиадетата бериллия в интервале температур 24— 170°С. Обнаружен обратимый переход монокристалла в квазиполикристалл.
Показать АннотациюОтрицательное поглощение электронами в неоднородном магнитном поле типа магнитной ловушки
Отрицательное поглощение электронами в неоднородном магнитном поле типа магнитной ловушки
Д.В. Гальцов
Показана возможность отрицательного поглощения в системе электронов, находящихся в неоднородном магнитном поле типа магнитной ловушки. Вычислена мощность отрицательного поглощения.
Показать АннотациюРавновесные конфигурации плазмы в магнитных полях вблизи нейтральной точки (II)
Равновесные конфигурации плазмы в магнитных полях вблизи нейтральной точки (II)
Во Хонг Ань
Приводится решение задачи о равновесной конфигурации диамагнитной плазмы изотропного давления в неоднородных магнитных полях с комплексным потенциалом типа W ~ z^n, n=2. Определяется форма плазменной конфигурации для случая, когда область плазмы не включает нейтральную точку (граница области совпадает с частью силовой линии ψ0≠0). Исследованы случаи больших и малых давлений плазмы. Обсуждается возможность перехода при ψ0=0 к случаю, когда плазма переходит в область нейтральной точки, где поле B ⃗ = 0. Задача решается методом отображений, описанным в [1].
Показать АннотациюСегнетоэлектрические нелинейные элементы распределенного типа в системах сверхвысоких частот
Сегнетоэлектрические нелинейные элементы распределенного типа в системах сверхвысоких частот
И.В. Иванов, О.X. Гонзалес, А.А. Ветров, Чан Зоан Куой
Диэлектрические резонаторы СВЧ из нелинейного сегнетоэлектрического материала в силу высокого значения ε≫1 занимают пренебрежимо малую долю объема волноводной системы и могут рассматриваться как точечные элементы, параметры которых меняются под действием электрического поля. Рассматривается применение подобных нелинейных элементов в амплитудных и фазовых модуляторах, коммутаторах, электрически-перестраиваемых фильтрах СВЧ, усилителе типа модулятор—демодулятор. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости сегнето-электриков может быть использована для автоматической стабилизации температуры подобных нелинейных элементов.
Показать АннотациюИзмерение коэффициента ионно-электронной эмиссии в разряде с осциллирующими электронами
Измерение коэффициента ионно-электронной эмиссии в разряде с осциллирующими электронами
Э.М. Рейхрудель, Г.В. Смирницкая, А.Н. Мавлянов
Измерен усредненный по поверхности катода коэффициент вторичной ионно-электронной эмиссии γср в разряде с осциллирующими электронами. Получены зависимости γср от Н, р, Vа и от рода ионов ( N+, Не+, Ne+, Аr+), бомбардирующих катоды. Сравниваются величины γср для катодов из разных материалов (Al, Ag, Be, Bi, Cu, In, Nb, Ti, Та, Re, Zr, W), γср для молибдена. Определено значение эффективного коэффициента вторичной эмиссии Г для первого режима разряда при различных давлениях газа.
Показать АннотациюРадиационные поправки к некоторым слабым процессам с участием лептонов
Радиационные поправки к некоторым слабым процессам с участием лептонов
В.П. Цветков
В работе вычислены радиационные поправки порядка α к слабым процесса типа Vμ+e→Ve+μ в лабораторной системе и системе центра масс. Получены дифференциальные и полные сечения рассматриваемых процессов. Найдено ограничение на применимость низшего порядка теории возмущений по слабому взаимодействию в реакциях типа Vμ+e→Ve+μ
Показать АннотациюО целесообразном расположении приемников звука на телах вращения при косом обтекании жидкостью
О целесообразном расположении приемников звука на телах вращения при косом обтекании жидкостью
Ю.М. Романовский, В.А. Светлосанов, В.И. Шмальгаузен
В статье содерж ится метод расчета и примеры характеристик пограничного слоя при косом обтекании эллипсоидов вращения, а также рекомендации о размещении приемников звука на телах вращения.
Показать Аннотацию