Исследовано параметрическое возбуждение колебаний в контуре, содержащем полупроводниковый диод с нелинейной проводимостью и нелинейной емкостью запертого р — n-перехода. Рассмотрен стационарный режим колебаний с частотой, равной половине частоты накачки, при использовании нелинейной проводимости диода для ограничения амплитуды возбужденных колебаний. Влияние нелинейной проводимости диода учитывается через автоматическое смещение, величина которого принимается равной амплитуде параметрически возбужденных колебаний.
Кафедра теории колебаний физического факультета МГУ
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.