Аннотация
Описана методика изготовления полупроводниковых детекторов заряженных частиц типа р - i - n путем дрейфа в кремний ионов лития. Детекторы используются для регистрации α-частиц, упруго и неупруго рассеянных на ядрах углерода.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.С. Вавилов, Н.В. Головина, Г.А. Иферов, А.Ф. Тулинов, М.В. Чукичев
НИИЯФ
НИИЯФ