Рассматриваются возможности применения RС-сеточной модели для изучения переходных процессов в полупроводниковых диодах. Приводятся оценки точности конечно-разностного представления одномерного уравнения диффузии с учетом электрического поля в базе диода. Даются масштабные соотношения для элементов неоднородной RС-сетки. Описывается устройство для визуализации процесса решения нестационарного уравнения диффузии на осциллографе. Работа моделирующего устройства демонстрируется на примере задачи о выключении плоскостного полупроводникового диода.
Кафедра общей физики для мехмата
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.