Выходные параметры транзистора при больших сигналах

Теоретически и экспериментально исследована зависимость усредненных по первой гармонике параметров транзисrора от амплитуды колебаний в схеме с общим эмиттером при отсутствии тока смещения в базовой цепи. Показано, что эта зависимость наиболее сильно выражена при малых амплитудах колебаний по сравнению с напряжением коллекторной батареи и ее необходимо учитывать при расчете параметров колебательных контуров в коллекторной цепи.