Статья

Поведение сильно легированного полупроводника в электрическом поле

3.А. Касаманян

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1966. № 6. С. 41

Статья

Аннотация

Рассматривается задача о плотности состояний сильно легированного полупроводника во внешнем постоянном электрическом поле. Получены явные формулы в сравнительно слабых и сильных полях. Роль внешнего поля может играть поле дислокаций рассматриваемое приближенно постоянным.

English citation: Behavior of a Strongly Alloyed Semiconductor in an Electric Field

Z.A. Kasamanyan

Авторы

3.А. Касаманян
Кафедра полупроводников

Выпуск 6, 1966

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.