В работе рассматривается зависимость подвижности от концентрации легирующей примеси в n — GaSb в условиях полного вырождения. Считается, что основным механизмом рассеяния является рассеяние на ионизированных примесных центрах. Учитывается также резонансное рассеяние на квазистационарном примесном уровне, связанном с дополнительными минимумами (111). Характер рассчитанной зависимости подвижности от концентрации совпадает с экспериментом, а абсолютная величина μ получается примерно в 2 раза больше наблюдаемой. Указаны возможные причины такого расхождения.
Кафедра физики полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.