Аннотация
В двухзонном приближении эффективной массы рассчитывается энергия нижнего состояния экситона для кристалла без центра симметрии. Применен модифицированный вариационный метод.
English citation: Theory of an exciton in a semiconductor having a narrow energy gap (II)
A.P. Trubitsyn
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.П. Трубицын
Кафедра полупроводников
Кафедра полупроводников