Аннотация
В рамках обобщенной модели Луковского получены явные выражения для коэффициентов многофононного захвата носителей заряда глубокими примесными центрами и полупроводниках. Рассмотрены случаи нейтрального и одноименно заряженного центров. Дано обоснование и указаны пределы применимости использован- ного ранее полуфеноменологического подхода.
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Л. Бонч-Бруевич
Кафедра полупроводников
Кафедра полупроводников
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.