О спектре 1/τ медленных ловушек на поверхности полупроводников

Показано, что при учете нормального (гауссова) закона распределения барьеров, отделяющих медленные состояния от объема полупроводника, по высоте или толщине получается закон распределения по времени релаксации g(τ), аппроксимирующийся в достаточно широком интервале τ соотношением g(τ)~τ^(-α), где α≅1.