Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Воздействие α-частиц на р-кремний и фотоэлектрические параметры кремниевых n—р-переходов

А.И. Акишин, Г.М. Григорьева, Л.И. Колыхалова, Л.Б. Крейнин, А.П. Ландсман, В.Г. Назаров

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1976. № 4. С. 404

  • Статья
Аннотация

Приведены экспериментальные данные по воздействию α-частиц на р-кремний и кремниевые n—p-переходы в диапазоне энергий от 0,4 до 25,2 МэВ. Произведено также сравнение с протонным воздействием.

English citation: Action of alpha particles on p-silicon and the photoelectric parameters of silicon n-p junctions
A.I. Akishin, G.M. Grigor'eva, L.I. Kolykhalova, L.B. Kreinin, A.P. Landsman, and V.G. Nazarov
Авторы
А.И. Акишин, Г.М. Григорьева, Л.И. Колыхалова, Л.Б. Крейнин, А.П. Ландсман, В.Г. Назаров
НИИЯФ
Выпуск 4, 1976

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.