Аннотация
Приводится количественное обоснование метода повышения пространственного разрешения катодолюминесцентного изображения в РЭМ на основе трехмерной модели. На образцах полупроводников CdS и ZnSe получено улучшение разрешения в 5 раз.
English citation: Theory of the observation of cathodoluminescence in a stroboscopic scanning electron microscope
G.V. Spivak, L.F. Komolova, G.V. Saparin, V.V. Mazur, and V.A. Cherepenin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Г.В. Спивак, Л.Ф. Комолова, Г.В. Сапарин, В.В. Мазур, В.А. Черепенин
Кафедра электроники
Кафедра электроники