Аннотация
В электронном эмиссионном микроскопе в вакууме 5x10^(-8) мм рт.ст. наблюдались эмиссионные изображения плоскости (0001) монокристалла гафния в интервале температур 1800—2100 К. Переходу из α-фазы в β-фазу предшествует устойчивое промежуточное состояние кристалла при Т=2020±5 К. Приращение αHf→βHf при Т=2050±5 К происходит за промежуток времени Δt ~ 2 мин. Измерены эффективные работы выхода монокристалла гафния в α-фазе (ϕ(α)= 4,1 ± 0,05 В) и в β-фазе(ϕ(β)= 3,9±0,5 В).
English citation: Polymorphic transition in monocrystalline hafnium
N.Ya. Rukhlyada, A.G. Trefilov and В.В. Shishkin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Н.Я. Рухляда, А.Г. Трефилов, Б.Б. Шишкин
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.