Выпуск 2, 1979

Г.А. Ляхов, В.А. Макаров

Рассчитаны условия самофокусировки и расслоения лазерного пучка при самовоздействии в жидкокристаллических веществах при температуре, близкой к точке фазового перехода из изотропной в жидкокристаллическую фазу. Показано, что пространственная дисперсия нелинейной восприимчивости, связанная с тепловым либо ориентационным механизмом, может обеспечить устойчивый — относительно расслоения — режим самофокусировки интенсивных пучков. Проведенный анализ механизмов пространственной дисперсии позволяет считать жидкокристаллические вещества перспективными для формирования гладких световых пучков большой интенсивности.

Ф.А. Живописцев, К.В. Шитикова

В работе развита микроскопическая теория связи частицы и дырки с более сложными состояниями; основное внимание уделено учету связи с состояниями типа две частицы — две дырки. Показано, что существенную роль играют состояния типа частица-дырка плюс низколежащее коллективное состояние. В отношении степени учета взаимодействия между частицами проведено сравнение с теорией конечных ферми-систем. Проведено сравнение результатов, получаемых с помощью микроскопической теории, с соответствующими результатами в рамках феноменологической теории. Установлено соответствие между параметрами рассматриваемых моделей. При должном выборе параметров и согласовании форм факторов матричные элементы взаимодействия нуклона с остовом, рассчитанные для двух моделей, практически совпадают.

В.А. Ильин

Показано, что алгебры наблюдаемых в случае заряженного скалярного свободного поля (и определенные как градиентно-инвариантные части соответствующих полевых алгебр) можно получать с помощью простой математической операции — нахождения второго коммутанта от счетного набоpa образующих операторов, соответствующих данной области пространства-времени.

Ф.А. Живописцев, Ф.Э. Комас (Куба)

В работе на основе теории Нозьера — Доминисиса — Лангреца исследуется влияние плазмоиов на структуру и особенности динамического формфактора, описывающего процесс рассеяния быстрого электрона с переходом внутреннего электрона с атомного уровня на поверхность Ферми. В пренебрежении дисперсией плазмонов получено выражение для динамического формфактора, выявляющее особенности спектра, обусловленного плазмонами. Показано, что вероятность (е, е') -процесса W(q,ω) существенно зависит от знака показателя энергетического сомножителя a(l). При a(l)< 0 функция W(q,ω)убывающая функция ω, которая обращается в нуль при ω = ω(n) = ω + а ω(p) + n ω(p), при а(l) > 0 функция W(q,ω)имеет особенности типа (ω—ω(n))^(-α(β)). Эти особенности являются существенными в случаях, когда исследуется достаточно широкий диапазон спектра передаваемой энергии.

И.И. Наумова, A.Л. Александровский, И.Н. Леонтьева

Для кристаллов, выращенных при больших температурных градиентах из расплавов семи различных составов, изучено влияние условий кристаллизации на образование слоев роста. Исследована дифракция света на ростовых слоях. Обнаружено, что вариации показателей преломления (оптически наблюдаемые слои роста) имеют сложную природу, связаны с сегнетоэлектрическими свойствами материала. Эта связь приводит к возникновению двух аномалий на температурных зависимостях интенсивностей дифракционных максимумов. Низкотемпературная аномалия (при Т <100° С) объясняется возникновением пироэлектрических зарядов на границах доменов. Высокотемпературная аномалия (при температурах, близких к точке Кюри) объясняется существованием вариаций точки Кюри с амплитудой до 1°С, синхронных с вариациями состава кристалла в слоях роста. С уменьшением содержания окиси натрия в расплаве точка Кюри выращенных кристаллов понижается от 575 до 542° С. Кристаллы нулевой и 90-градусной ориентации выращивались в максимально близких условиях, но точка Кюри для второй ориентации ниже на 10 — 20° С.

В.В. Остробородова, М.С. Аль Кувейти (Ирак)

Исследованы полевые зависимости фотомагнитного (ФМ) тока короткого замыкания в освещенных поверхностно поглощаемым светом разных длин волн кристаллах GaAs с примесями кислорода, хрома, железа. В GaAs(O) с биполярной холловской подвижностью 0 « μ*(n)< μ(n) для i$_{фм} (B)обнаружены кроме обычной диффузионной компоненты n = i(+), линейные по магнитному полю. В обратные n =i(—), вклад которых растет с уменьшением глубины проникновения света. В области 50—77 К наблюдаются и максимум таких потоков, и резкий рост эффективной скорости поверхностной рекомбинации. В GaAs (Fe)μ*(n)= μ(n) монополярна при Т < 110 К; iфм(В) содержат в интервале температур 8—100 К явно нелинейные n-i(-)(В) и линейные р-i(+)(В). Максимум n-i(-) также наблюдается при 50—77 К. В GaAs (Сr) μ*(n)= μ(n)монополярна при комнатной температуре, и в p-iфм (В) также наблюдается вклад нелинейных по В n-i(-). Полученные результаты свидетельствуют о наличии общего для всех кристаллов слоя р-проводимости толщиной ≥ 10^(-5) см, располагающегося под слоем пространственного заряда. Наличие слоя приводит к сильной компенсации ФМ-токов в случаях объемной фотопроводимости n-типа и может создавать антизапорную систему с сильным уменьшением эффективной скорости поверхностной рекомбинации при объемной р-проводимости.

Д.Г. Баканов, А.И. Одинцов, А.И. Федосеев, В.Ф. Шарков

Описана экспериментальная аппаратура и методика измерений колебательной температуры азота и плотности частиц в газодинамическом потоке смеси С02—N2—Не с использованием комбинационного рассеяния света. Комбинационное рассеяние возбуждалось второй гармоникой лазера на иттрий-алюминиевом гранате с неодимом (λл= 532 нм) внутри многоходовой кюветы с числом проходов луча ~ 50. Выделение полезных сигналов стоксовой и антистоксовой компонент рассеяния производилось с помощью узкополосных контрастных интерференционных светофильтров. Степень подавления паразитного сигнала в оптической системе была не менее 10^9. Установка позволяет производить определение плотности азота вплоть до величины приведенного давления ~ 1000 Па. Измеренные значения колебательной температуры азота лежат в диапазоне 850—1000 К.

А.Г. Шумовская, А.С. Шумовский

Для модели Стенли с дальнодействием в рамках объединения метода аппроксимирующих гамильтонианов Боголюбова (мл.) и стохастического подхода Глаубера найдены точные уравнения, описывающие временную зависимость параметра порядка.

В.Ф. Королев

Решается вопрос об индуцированном электромагнитном излучении системы вращающихся ангармонических осцилляторов в резонаторе. Расчет проводится на основе нелинейной теории дисперсии. При учете связи комплексной диэлектрической проницаемости с параметрами резонатора находится амплитуда установившихся колебаний поля в резонаторе и мощность излучения рассматриваемой системы.

А.Р. Хохлов

На основе анализа экспериментальных данных других авторов показано, что аномальная молекулярно-весовая зависимость парциального удельного объема макромолекул в разбавленном растворе не может быть объяснена с помощью гипотезы «свободного объема», образующегося между сталкивающимися мономерами. Предложено другое объяснение, в котором указанная аномальная зависимость обусловливается уменьшением числа изгибов цепи при росте объемного отталкивания в клубке. Такое объяснение лучше согласуется с экспериментальными фактами.

3.В. Гринько, А.А. Предводителев

Проведено исследование прочности нитевидных кристаллов дигидро-фосфата аммония и калия (АДР и КДР) при комнатной и азотной температурах в зависимости от их диаметра и двух направлений роста <100> и <011>. Обнаружено, что нитевидные кристаллы в отличие от макрокристаллов АДР и КДР не только не разрушаются при реализации низкотемпературного фазового перехода, но прочность их повышается при дальнейшем понижении температуры. Показано, что наблюдаемая прочность нитевидных кристаллов АДР и КДР достигает 0,2—0,3 теоретической прочности на отрыв.

Л.А. Саркисян, Е.Ф. Кирьянов, Ю.А.Воробьев

Излагаются результаты работы по модернизации 120-сантиметрового циклотрона, позволившей повысить энергию ионов с плавным ее изменением и расширить диапазон ускоренных ионов.

В.С. Колесников, О.В. Кулик, Ю.А. Пирогов

Рассматривается возможность практически полного поглощения волновой энергии в полупроводниковых пластинах произвольной проводимости и толщины. Получены теоретически и подтверждены экспериментально условия, при выполнении которых имеет место полное согласование с волноведущей линией.

Г.А. Сарданашвили

Предлагается класс вполне несвязных топологических пространств для формализации представлений о дискретном пространстве-времени.

Н.Я. Рухляда, А.Г. Трефилов, Б.Б. Шишкин

В электронном эмиссионном микроскопе в вакууме 5x10^(-8) мм рт.ст. наблюдались эмиссионные изображения плоскости (0001) монокристалла гафния в интервале температур 1800—2100 К. Переходу из α-фазы в β-фазу предшествует устойчивое промежуточное состояние кристалла при Т=2020±5 К. Приращение αHf→βHf при Т=2050±5 К происходит за промежуток времени Δt ~ 2 мин. Измерены эффективные работы выхода монокристалла гафния в α-фазе (ϕ(α)= 4,1 ± 0,05 В) и в β-фазе(ϕ(β)= 3,9±0,5 В).

В.Н. Милеев, А. Смида (Алжир)

Обсуждается применение дифракционной теории многократных столкновений к рассеянию ядер при высоких энергиях. В рамках этой теории сформулирован приближенный метод расчета сечений рассеяния ядер, в котором учтена часть виртуальных возбуждений сталкивающихся ядер. В отличие от известного приближения «жестких» ядер предложенное приближение является симметричным относительно обоих ядер, участвующих в реакции. Проведенные численные расчеты полных сечений и дифференциальных сечений упругого рассеяния показали существенное отличие результатов «симметричного» приближения как" от несимметричных приближений «жестких» ядер, так и от приближения Чижа — Максимона, полностью не учитывающего виртуальных возбуждений.

М.Г. Хапланов

В.М. Чепурова

В.Г. Можаев