Слои роста в сегнетоэлектрике Ba$_{2}$NaNb$_{5}$O$_{15}$

Для кристаллов, выращенных при больших температурных градиентах из расплавов семи различных составов, изучено влияние условий кристаллизации на образование слоев роста. Исследована дифракция света на ростовых слоях. Обнаружено, что вариации показателей преломления (оптически наблюдаемые слои роста) имеют сложную природу, связаны с сегнетоэлектрическими свойствами материала. Эта связь приводит к возникновению двух аномалий на температурных зависимостях интенсивностей дифракционных максимумов. Низкотемпературная аномалия (при Т <100° С) объясняется возникновением пироэлектрических зарядов на границах доменов. Высокотемпературная аномалия (при температурах, близких к точке Кюри) объясняется существованием вариаций точки Кюри с амплитудой до 1°С, синхронных с вариациями состава кристалла в слоях роста. С уменьшением содержания окиси натрия в расплаве точка Кюри выращенных кристаллов понижается от 575 до 542° С. Кристаллы нулевой и 90-градусной ориентации выращивались в максимально близких условиях, но точка Кюри для второй ориентации ниже на 10 — 20° С.