Рассмотрена и в линейном приближении решена задача о возникновений сверхрешетки электронной температуры в полупроводниках с горячими электронами в условиях, когда коэффициент поглощения греющего света зависит от электронной температуры. Получено распределение электронной температуры в статических условиях и при свободной конвекции электронного газа. В последнем случае найдено также распределение электромагнитного поля. Вычислено критическое значение интенсивности света, при котором возникает сверхрешетка.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.