Используя известные уравнения, описывающие кинетику изменения концентраций свободных и локализованных зарядов в кристалле, получены явные выражения для интенсивности радиолюминесценции (РЛ) и концентрации центров наведенного поглощения (НП) в рубине с небольшой концентрацией хрома. При этом предполагалось, что слабоконцентрированному рубину соответствует зонная модель, содержащая один дырочный и два электронных уровня. Вычисления проведены в приближении произвольного заполнения ловушек. Показано, что: 1) при понижении температуры в связи с увеличением сечений, рекомбинации на центрах РЛ происходит уменьшение интенсивности НП и 2) за счет более резкого возрастания эффективности рекомбинационного канала на центрах синего свечения уменьшается доля рекомбинаций, приводящая к излучению R-линий.
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.