Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Краткое сообщение

Тонкая структура спектров рекомбинадионной эмиссии

В.А. Маштакова, Б.Б. Шишкин

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1980. № 6. С. 100

  • Статья
Аннотация

При рекомбинации тепловых дефектов в переходных металлах выделяется энергия, достаточная для образования в электронной жидкости элементарных возбуждений на уровни, превышающие уровень вакуума. Возникающая в результате этого о процесса рекомбинационная эмиссия обусловливает обнаруженную на опыте тонкую о структуру вольт-амперных характеристик вакуумных диодов с электродами из монокристаллов вольфрама и молибдена. При нулевом смещении в диоде возникают к электромагнитные колебания в средневолновом радиодиапазоне.

English citation: The fine structure of spectra of the recombination emission
V.A. Mashtakowa, В.B. Shishkin
Авторы
В.А. Маштакова, Б.Б. Шишкин
Выпуск 6, 1980

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.