Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Влияние электростатического поля на движение дислокаций при высокочастотной вибрации щелочно-галоидных кристаллов. Колебательное движение дислокаций

Н.А. Тяпунина, А.А. Светашов, Э.П. Белозерова

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1981. № 1. С. 68

  • Статья
Аннотация

Методом двух- и трехсоставного резонансного осцилляторов исследовано влияние электростатического поля на внутреннее трение (ВТ) и дефект модуля Юнга(ДМЮ) в килогерцевом диапазоне частот. Установлено, что в интервале амплитуд 10$^{-6}$ —10$^{-4}$ электростатическое поле влияет на ВТ и ДМЮ. Под влиянием электростатического поля увеличивается высота максимумов ВТ, наблюдаемых в указанном интервале амплитуд деформации, максимумы смещаются в область меньших амплитуд деформации, а также появляются максимумы, которых в отсутствие электростатического поля не было. Действие электростатического поля на ДМЮ проявляется в увеличении абсолютной величины ДМЮ, а также в изменении хода зависимости. ДМЮ от времени и от амплитуды деформации. На основании анализа результатов ВТ и ДМЮ делается заключение, что электростатическое поле приводит к росту амплитуды колебаний дислокационных сегментов и к увеличению числа активных дислокаций, дающих вклад во внутреннее трение.

Авторы
Н.А. Тяпунина, А.А. Светашов, Э.П. Белозерова
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 1, 1981

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.