Определение концентрации свободных носителей заряда в РbТе и Pb$_{0,8}$ Sn$_{0,2}$Te по спектрам отражения в далекой инфракрасной области

В работе предлагается бесконтактный неразрушающий метод определения концентрации свободных носителей заряда в РbТe и Pb$_{0,8}$ Sn$_{0,2}$Te по спектрам ИК-отражения в области длин волн 20—120 мкм. Построены расчетные градуировочные кривые, позволяющие определять концентрации носителей заряда в РЬТе при T=300 и 80 К и в Pb$_{0,8}$ Sn$_{0,2}$Te при T=80 К по положению точек перегиба спектральных зависимостей коэффициента отражения от длины волны света. Оценена погрешность метода, и показано, что она не превосходит ±30%.