Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

Определение концентрации свободных носителей заряда в РbТе и Pb$_{0,8}$ Sn$_{0,2}$Te по спектрам отражения в далекой инфракрасной области

А.Г. Белов, Е.П. Рашевская

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1982. № 2. С. 25

  • Статья
Аннотация

В работе предлагается бесконтактный неразрушающий метод определения концентрации свободных носителей заряда в РbТe и Pb$_{0,8}$ Sn$_{0,2}$Te по спектрам ИК-отражения в области длин волн 20—120 мкм. Построены расчетные градуировочные кривые, позволяющие определять концентрации носителей заряда в РЬТе при T=300 и 80 К и в Pb$_{0,8}$ Sn$_{0,2}$Te при T=80 К по положению точек перегиба спектральных зависимостей коэффициента отражения от длины волны света. Оценена погрешность метода, и показано, что она не превосходит ±30%.

Авторы
А.Г. Белов, Е.П. Рашевская
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д.1, стр.2.
Выпуск 2, 1982

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.