Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Статья

О природе случайного поля в полупроводнике с радиационными дефектами

В.Л. Бонч-Бруевич, П.С. Сульженко

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1982. № 4. С. 37

  • Статья
Аннотация

Изучено случайное поле в полупроводнике с радиационными дефектами полумакроскопического типа.

English citation: On the nature of a random field in irradiated semiconductor
V.L. Воnсh - Вrueviсh, P.S. Sul'zhenkо
Авторы
В.Л. Бонч-Бруевич, П.С. Сульженко
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2.
Выпуск 4, 1982

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.