Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Краткое сообщение

Исследование параметров ловушек в аморфном гидрированном кремнии методом вольт-фарадных характеристик

А.Н. Невзоров, Ю.А. Зарифьянц, В.О. Абрамов, В.Е. Дрозд

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1983. № 4. С. 60

  • Статья
Аннотация

Проведено исследование локализованных состояний в аморфном гидрированном кремнии, полученном ВЧ-разрядом в моносилане, методом вольт-фарадных характеристик диода Шоттки в диапазоне частот 1$\div$10 Гц. Определена плотность состояний при нулевом смещении ($1,5\cdot 10^{17} эВ^{-1}\cdot см^{-3}$), величина которой согласуется с данными других методов. При сравнении экспериментальной частотной зависимости емкости с теоретической кривой с двумя подгоночными параметрами определено эффективное сечение захвата электрона на ловушки ($10^{-14} см^2$).

English citation: A study of the parameters of traps in amorphous hydrogenated silicon using the volt-farad characteristics
A.N. Nevzorov, Yu.A. Zarif'yants, V.O. Abramov, V.E. Drozd
Авторы
А.Н. Невзоров, Ю.А. Зарифьянц, В.О. Абрамов, В.Е. Дрозд
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 4, 1983

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.