Аннотация
Проведено исследование локализованных состояний в аморфном гидрированном кремнии, полученном ВЧ-разрядом в моносилане, методом вольт-фарадных характеристик диода Шоттки в диапазоне частот 1$\div$10 Гц. Определена плотность состояний при нулевом смещении ($1,5\cdot 10^{17} эВ^{-1}\cdot см^{-3}$), величина которой согласуется с данными других методов. При сравнении экспериментальной частотной зависимости емкости с теоретической кривой с двумя подгоночными параметрами определено эффективное сечение захвата электрона на ловушки ($10^{-14} см^2$).
English citation: A study of the parameters of traps in amorphous hydrogenated silicon using the volt-farad characteristics
A.N. Nevzorov, Yu.A. Zarif'yants, V.O. Abramov, V.E. Drozd
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.Н. Невзоров, Ю.А. Зарифьянц, В.О. Абрамов, В.Е. Дрозд
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2