Аннотация
Исследован процесс фотовозбуждения прямозонного собственного невырожденного полупроводника с разными эффективными массами электрона и дырки. Рассмотрение проведено в трех предельных случаях внутризонной релаксации: медленной, быстрой и промежуточной. Найдены выражения для концентрации и средних энергий электронов и дырок. Изучено влияние электрон-электронной релаксации на процесс фотовозбуждения.
English citation: Photoexcitation of a direct-band semiconductor with differing effective electron and hole masses
Т.M. Il'inova, T.A. Kuzemchenko
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Т.М. Ильинова, Т.А. Куземченко
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и волновых процессов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.