Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
МЕНЮ
Краткое сообщение

Влияние электрического поля на фотоэлектрические свойства a-Si:Н

И.А. Курова, Н.Н. Ормонт

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1985. № 1. С. 97

  • Статья
Аннотация

Исследовались температурные зависимости стационарной межзонной фотопроводимости, люкс-амперные (ЛАХ) и вольт-амперные (ВАХ) характеристики пленок a-Si:Н в электрических полях с напряженностью до $2\cdot 10^4 В\cdot см^{-1}$. В слабых электрических полях наблюдалось температурное гашение фотопроводимости, при этом ЛАХ в области гашения становились суперлинейными. Обнаружен эффект подавления электрическим полем температурного гашения стационарной межзонной фотопроводимости и суперлинейности ЛAX.

Авторы
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Выпуск 1, 1985

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.