Аннотация
Изучены нестационарные состояния электронно-дырочной плазмы, создаваемой междузонно поглощаемым светом в полупроводнике с прямыми переходами. Принимаются во внимание как фононный и/или излучательный, так и ударный (междузонный) механизмы рекомбинации; адиабатическое приближение ("по медленности рекомбинации") не используется. Явно получены условия возникновения автоколебаний концентрации носителей заряда и электронной и дырочной температур.
English citation: Stochastic oscillations in a two-temperature electron-hole plasma in a semiconductor
V.L. Bonch-Bruevich, Le Vu Ki (Vietnam)
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Л. Бонч-Бруевич, Ле By Ки
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.