Влияние молекулярно-наслоенныx окисных слоев на люминесценцию адсорбированных молекул эритрозина в системе полупроводник-диэлектрик

Исследовалась люминесценция адсорбированных молекул эритрозина на поверхности структур $Ge-GeO_2$ и $Ge-GeO_2$-окисел переходного металла, а также перезарядка электронных и дырочных поверхностных ловушек при освещении в полосе поглощения красителя. Показано, что фотоопустошение ловушек в таких системах обусловлено переносом энергии возбуждения от адсорбированных молекул; обнаружена корреляция между структурой поверхностных окисных слоев и эффективностью этого процесса.