Аннотация
Исследовано влияние вакуумирования, поперечного электрического поля, освещения и изменения температуры на акустоэлектронное запоминание в слоистой структуре пьезоэлектрик-полупроводник. Определены некоторые параметры поверхностных состояний полупроводника и получена информация о кинетике процессов захвата и рекомбинации в полупроводнике.
English citation: Effects of external factors on acoustoelectronic storage in a piezoelectric-semiconductor structure
I.Yu. Solodov, G.Yu. Timofeeva
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.Ю. Солодов, Г.Ю. Тимофеева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра акустики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра акустики. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.