Исследовано влияние одноосного механического давления на диэлектрическую проницаемость и диэлектрические потери кристаллов $KTaO_3$ при 4,2 К в диапазоне 0,5-1,28 ГГц. С ростом давления резонансная частота моды $H_{01\delta}$ цилиндрического диэлектрического резонатора монотонно понижалась. Обнаружено значительное возрастание зависимости диэлектрических потерь $KTaO_3$ при приложении неоднородного давления. Это явление согласуется с представлением о размножении в кристаллах $KTaO_3$ под давлением заряженных линейных дефектов-дислокаций.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики колебаний. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.