Аннотация
Исследуются температурные зависимости электросопротивления, структуры и химического состава пленок $GdFe_2$ разной толщины, полученных в разных режимах разряда с осциллирующими электронами. Показано, что процесс кристаллизации зависит от толщины пленки и от режима разряда. Обнаружен и объяснен гистерезисный ход температурной зависимости электросопротивления. Данные химического анализа показывают, что кристаллизованные пленки $GdFe_2$ устойчивы к воздействию воздуха.
English citation: The temperature relations of electrical resistance and the structure of $GdFe_2$ films produced in a discharge with oscillating electrons.
G.V. Smirnitskaya, E.M. Reikhrudel, E.V. Yakhshieva
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Г.В. Смирницкая, Э.М. Рейхрудель, Е.В. Яхшиева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для естественных факультетов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для естественных факультетов. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.