Выпуск 5, 1986
О точности и надежности интерпретации совокупности измерений
О точности и надежности интерпретации совокупности измерений
Ю.П. Пытьев
Показано, что с увеличением числа измерений точность интерпретации не убывает, в то время как надежность может как возрастать, так и убывать. Получены необходимые и достаточные условия сходимости надежности по вероятности к нулю и по распределению к надежности точной модели при стремлении к бесконечности числа измерений.
Показать АннотациюО численно-асимптотическом методе расчета экранированной магнитной системы
О численно-асимптотическом методе расчета экранированной магнитной системы
В.Б. Гласко, Н.И. Ольховская
Разработан асимптотический метод расчета возмущений магнитного поля, вызванных наличием экрана с высокой электромагнитной проницаемостью, и предложен численный алгоритм его реализации.
Показать АннотациюФильтрация сигнала в экспериментах с пробными телами в условиях малой априорной информации
Фильтрация сигнала в экспериментах с пробными телами в условиях малой априорной информации
А.В. Гусев, В.Н. Руденко
Рассчитана минимальная среднеквадратичная ошибка при восстановлении полезного сигнала $F_s(t)$ в экспериментах с пробными телами в условиях минимальной априорной информации: $sup_{-\infty <t<\infty} | F_s | = F_0$. Показано, что разрешающая способность механоэлектрических преобразователей на нелинейном реактивном элементе в режиме динамического демпфирования ограничена только флуктуациями предусилителя с известной минимальной шумовой температурой. Получены формулы для расчета среднеквадратичной ошибки в минимаксном критерии.
Показать АннотациюОб измерении параметров импульсного СВЧ разряда в волноводе методом проводимости
Об измерении параметров импульсного СВЧ разряда в волноводе методом проводимости
П.С. Булкин, Г.С. Солнцев, С.А. Двинин, И.Э. Шкрадюк
Сопоставлены два метода изучения проводимости плазмы импульсного СВЧ разряда: на постоянном токе и на частоте поля, создающего разряд. Первый из них справедлив независимо от длины и формы канала СВЧ разряда в волноводе и не ограничен величиной скин-эффекта. По оценке концентрация электронов в канале СВЧ разряда в условиях эксперимента при атмосферном давлении составляет $10^{16}-10^{17}$ см$^{-3}$.
Показать АннотациюОбщий метод синтеза двухкомпонентных многослойных оптических покрытий
Общий метод синтеза двухкомпонентных многослойных оптических покрытий
А.Г. Свешников, Ш.А. Фурман, А.В. Тихонравов, С.А. Яншин
Описан метод синтеза двухкомпонентных многослойных оптических покрытий, работающих при наклонном падении света. Метод включает в себя два этапа: прямой перебор и минимизацию отобранных начальных приближений. Приведен эффективный способ вычисления градиента оценочного функционала.
Показать АннотациюСинтез двухкомпонентных оптических покрытий на основе необходимых условий оптимальности
Синтез двухкомпонентных оптических покрытий на основе необходимых условий оптимальности
Н.В. Гришина
Рассматривается метод синтеза оптических покрытий с заданными спектральными характеристиками, основанный на необходимых условиях оптимальности системы. Метод особенно эффективен в тех случаях, когда неизвестно хорошее начальное приближение. Приведены численные примеры синтеза широкополосных просветляющих покрытий и светоделителя.
Показать АннотациюО расчете статистических характеристик дифрагирующего акустического шума большой интенсивности
О расчете статистических характеристик дифрагирующего акустического шума большой интенсивности
О.В. Руденко, В.А. Хохлова
Предложен способ расчета статистических характеристик нелинейного дифрагирующего шума. Впервые учтена пространственная некогерентность полей в задачах нелинейной акустики. Рассмотрен пример дифракции шума с широким спектром, иллюстрирующий взаимное влияние временной и пространственной статистик уже в линейном приближении.
Показать АннотациюОб электропроводности жидких металлов
Об электропроводности жидких металлов
Л.П. Филиппов
Рассмотрена безразмерная величина $\lambda = 150 (М/\rho)^{1/3}/r$, (М - мольная масса, $\rho$ - плотность, r - удельное сопротивление в мкОм$\cdot$см), интерпретируемая как отношение средней длины свободного пробега электронов к расстоянию между ионами. Найдена простая формула, описывающая зависимость $\lambda$ от температуры и давления через посредство зависимости от плотности $(\rho) :\lambda = const\cdot \rho^2/(\rho_0—\rho)$, где $\rho_0$ - параметр. Показано, что найденная формула пригодна для описания электропроводности, жидких и твердых металлов в широкой области состояний.
Показать АннотациюОптимальные двухимпульсные перелеты на асимптотическую траекторию
Оптимальные двухимпульсные перелеты на асимптотическую траекторию
С.И. Сумароков
В рамках ограниченной круговой задачи трех тел рассмотрены оптимальные двухимпульсные перелеты с круговой околоземной орбиты на асимптотическую траекторию, ведущую в точку либрации $L_2$. При построении импульсных траекторий использовались метод многих конических сечений и теория базис-векторов Лоудена. Минимальные энергетические затраты соответствуют 77-часовому перелету. Для этого перелета суммарные затраты составляют 3468,3 м/с.
Показать АннотациюФотоиндуцированное случайное поле в релаксационном полупроводнике
Фотоиндуцированное случайное поле в релаксационном полупроводнике
Ю.П. Дрожжов
Показано, что в релаксационном полупроводнике может возникать дополнительное статическое случайное поле под действием внешнего электрического поля и света.
Показать АннотациюТемпературные зависимости электросопротивления и структуры пленок $GdFe_2$, полученных в разряде с осциллирующими электронами
Температурные зависимости электросопротивления и структуры пленок $GdFe_2$, полученных в разряде с осциллирующими электронами
Г.В. Смирницкая, Э.М. Рейхрудель, Е.В. Яхшиева
Исследуются температурные зависимости электросопротивления, структуры и химического состава пленок $GdFe_2$ разной толщины, полученных в разных режимах разряда с осциллирующими электронами. Показано, что процесс кристаллизации зависит от толщины пленки и от режима разряда. Обнаружен и объяснен гистерезисный ход температурной зависимости электросопротивления. Данные химического анализа показывают, что кристаллизованные пленки $GdFe_2$ устойчивы к воздействию воздуха.
Показать АннотациюО природе ловушек в оксидном слое на поверхности арсенида галлия
О природе ловушек в оксидном слое на поверхности арсенида галлия
А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров, А.Н. Образцов, Ю.Н. Сосновских, И.Н. Сорокин
Методом контактной разности потенциалов исследованы процессы перезарядки ловушек в анодном оксиде на поверхности GaAs при освещении. Показано, что в зависимости от условий получения оксида и последующих обработок изменяются концентрация ловушек для электронов и дырок, степень дефектности переходной области. Сделаны предположения о природе центров захвата дырок.
Показать АннотациюПроцессы переноса заряда в структурах $Ge-GeO_2$ при воздействии нано- и пикосекундных световых импульсов
Процессы переноса заряда в структурах $Ge-GeO_2$ при воздействии нано- и пикосекундных световых импульсов
П.К. Кашкаров, А.В. Петров
Изучены зависимости оптического заряжения поверхности германия от экспозиции облучения и температуры в широких диапазонах интенсивностей ($Р=10^{-4}-10^9 Вт/см^2$) и длительностей ($\tau = 3\cdot 10^{-11}-10^2с$) освещения. Показано, что величина фотоинжектированного в окисный слой заряда определяется экспозицией $P_{\tau}$ и не зависит от интенсивности света. Оценена температура тонкого ($\sim$20 нм) поверхностного слоя образца непосредственно в момент лазерного импульса.
Показать АннотациюВлияние эффектов корреляции на сечения когерентного комптон-эффекта
Влияние эффектов корреляции на сечения когерентного комптон-эффекта
В.А. Бушуев, А.О. Айт
Проведено теоретическое рассмотрение влияния эффектов корреляции на дифференциальные и интегральные сечения когерентного комптоновского рассеяния (КР) в совершенных кристаллах. Исследована зависимость сечений от угла рассеяния, энергии квантов КР, ориентации вектора рассеяния по отношению к вектору обратной решетки, от порядка отражения и характерного размера электронных оболочек. Результаты расчетов могут использоваться при постановке и интерпретации экспериментов по наблюдению когерентного КР.
Показать АннотациюУчет трехчастичного кулоновского взаимодействия в конечном состоянии процесса двойной фотоионизации гелия
Учет трехчастичного кулоновского взаимодействия в конечном состоянии процесса двойной фотоионизации гелия
В.Г. Левин, А.М. Мухамеджанов, А.В. Павличенков
Для энергий падающих фотонов порядка нескольких сотен электронвольт рассчитаны дифференциальные сечения процесса ($\gamma, 2е$) на атоме гелия. Показано, что учет взаимодействия трех заряженных частиц в конечном состоянии существенно влияет на поведение кривых угловых корреляций конечных электронов.
Показать АннотациюДинамика переходных процессов в усилителе СВЧ на релятивистском пучке с диэлектрическим заполнением
Динамика переходных процессов в усилителе СВЧ на релятивистском пучке с диэлектрическим заполнением
А.Р. Майков, А.Д. Поезд, Е.Д. Поезд, С.А. Якунин
Изложены результаты применения методики анализа нестационарных процессов в электронике СВЧ к перспективному классу СВЧ приборов, усиливающих и преобразующих короткие и сверхкороткие импульсы электромагнитного поля. Приведены нелокальные по времени нестационарные условия излучения.
Показать АннотациюНемарковская модель нелинейной восприимчивости растворов органических красителей
Немарковская модель нелинейной восприимчивости растворов органических красителей
В.М. Петникова, С.А. Плешанов, В.В. Шувалов
Сделана интерпретация экспериментальных спектроскопических данных, полученных ранее методом бигармонической накачки в растворах органических красителей. Показано, что хотя учет эффектов немарковости процесса колебательной релаксации практически не меняет оценок времени поперечной релаксации, именно он определяет дисперсию нелинейной восприимчивости в области растроек частот накачки порядка 10 $см^{-1}$.
Показать АннотациюО решении скалярной задачи дифракции на теле вблизи плоскости методом антенного потенциала
О решении скалярной задачи дифракции на теле вблизи плоскости методом антенного потенциала
В.В. Кравцов, П.К. Сенаторов
Метод антенного потенциала применяется для решения задачи дифракции на теле, расположенном около плоской границы. Приводятся результаты численного расчета дифракции поля плоской волны и точечного источника на сфере и вытянутом эллипсоиде вблизи плоскости.
Показать АннотациюВзаимодействие воды с аминокислотами и белками, изученное методами ЯМР-релаксации
Взаимодействие воды с аминокислотами и белками, изученное методами ЯМР-релаксации
Н.Г. Вострикова, В.П. Денисов, Ю.М. Петрусевич, О.П. Ревокатов
Исследовалась зависимость скоростей магнитной релаксации протонов воды в растворах белков и аминокислот от величины рН раствора. Установлено, что изменение среднего молекулярного заряда существенно влияет на скорости релаксации.
Показать АннотациюМикрофлуориметрическое исследование динамики накопления фотосенсибилизатора порфиринового типа в нормальных и злокачественных культивируемых клетках
Микрофлуориметрическое исследование динамики накопления фотосенсибилизатора порфиринового типа в нормальных и злокачественных культивируемых клетках
3.А. Хуршилова, М.И. Лейкина, Л.Л. Литинская, Е.Б. Черняева
Исследована внутриклеточная флуоресценция красителя-фотосенсибилизатора (гематопорфирина) при его связывании с нормальными и злокачественными клетками. Изучены пространственное распределение красителя в клетке, зависимость интенсивности флуоресценции клеток культуры от времени выдерживания в красителе, а также влияние изменения кислотности среды на проникновение порфирина в клетку.
Показать АннотациюПримесная электролюминесценция GaAs, легированного V
Примесная электролюминесценция GaAs, легированного V
В.С. Вавилов, В.А. Морозова, О.В. Рычкова
Обнаружена примесная электролюминесценция (ЭЛ) GaAs: V при $\epsilon >7\cdot 10^3$ В/см и T = 80-300 К. Наблюдается близкое соответствие формы полос ЭЛ спектрам поглощения в области $h\nu \sim 1,1$ эВ и фотолюминесценции в области $h\nu \sim 0,7$ эВ. Показано, что ЭЛ в области $\sim$0,7 эВ обусловлена внутрицентровыми переходами атомов $V^0$, а в области $\sim$1,1 эВ - атомов $V^-$.
Показать АннотациюОписание релаксационного процесса для неравновесных вакансий, созданных облучением
Описание релаксационного процесса для неравновесных вакансий, созданных облучением
Г.С. Жданов, К.П. Гуров, Т.В. Крюкова
Получено решение уравнений Назарова-Гурова для взаимной диффузии с учетом неравновесных вакансий для специального вида их начального распределения. Показана эволюция кривых распределения избыточных вакансий и отклонения от равновесного значения концентрации атомов сорта А для различных значений параметров.
Показать АннотациюРазвитие оптических принципов дифракции рентгеновских лучей в непрерывно-слоистых кристаллах
Развитие оптических принципов дифракции рентгеновских лучей в непрерывно-слоистых кристаллах
А.В. Колпаков, В.И. Пунегов
Оптические принципы применены к анализу дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с постоянным градиентом деформации. Физическая интерпретация рассеяния рентгеновских лучей основана на построении фазовых слоев, интерференционное взаимодействие которых объясняет структуру кривых дифракционного отражения от кристаллов с постоянным градиентом деформации. Эту модель можно использовать для построения стартового приближения при решении обратных задач восстановления строения искаженных приповерхностных слоев.
Показать АннотациюИзучение закономерностей движения пучка ионов в приповерхностном слое монокристалла методом вторичной ионно-электронной эмиссии
Изучение закономерностей движения пучка ионов в приповерхностном слое монокристалла методом вторичной ионно-электронной эмиссии
Б.А. Брусиловский
Изучены угловые зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии монокристалла меди при бомбардировке мишени вблизи ряда направлений и плоскостей с малыми индексами. Установлено, что уже на глубине выхода вторичных электронов проявляется плоскостная упорядоченность мишени.
Показать АннотациюИсследование монокристаллов сурьмы и висмута методом рэлеевского рассеяния мёссбауэровского излучения
Исследование монокристаллов сурьмы и висмута методом рэлеевского рассеяния мёссбауэровского излучения
А.А. Опаленко, А.А. Киселев, И.А. Авенариус
Методом рэлеевского рассеяния Мёссбауэровского излучения измерены анизотропные факторы Дебая-Валлера для монокристаллов Sb и Bi. Полученные результаты выгодно отличаются от результатов рентгено- и нейтронодифракционных экспериментов благодаря отсутствию вклада теплового диффузного рассеяния. Результаты могут быть использованы для развития динамических моделей кристаллов Sb и Bi.
Показать АннотациюОсобенности структуры и свойств приграничных областей аморфного гидрированного кремния
Особенности структуры и свойств приграничных областей аморфного гидрированного кремния
Ю.А. Зарифьянц, В.О. Абрамов, Ю.Л. Гальченко, А.С. Авилов, Г.М. Чукичева
Обнаружено резкое снижение интенсивности фотолюминесценции в областях пленок а-Si:Н, граничащих с металлом. Для объяснения этого эффекта исследована дифракция электронов. Путем корректной нормировки интерференционной функции рассчитаны радиальные функции распределения. Оказалось, что образцы различаются по координационным числам и радиусам первой координационной сферы. С этим связаны различия в спектре плотности состояний слоев a-Si:H на разных подложках.
Показать АннотациюИзоструктурное упорядочение в декагидрате алюмометиламмониевых квасцов
Изоструктурное упорядочение в декагидрате алюмометиламмониевых квасцов
Н.Д. Гаврилова, Ю.П. Козлова
Проведены измерения температурных зависимостей диэлектрических и пироэлектрических свойств кристаллов декагидратов алюмометиламмониевых квасцов вблизи температуры 145 К. На основании полученных результатов делается вывод о существовании при 145,3 К изоструктурного дипольного упорядочения, которое может быть связано с упорядочением молекул $H_2O$ или групп $CH_3NH_3$.
Показать Аннотацию