Физический факультет
Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Показано, что с увеличением числа измерений точность интерпретации не убывает, в то время как надежность может как возрастать, так и убывать. Получены необходимые и достаточные условия сходимости надежности по вероятности к нулю и по распределению к надежности точной модели при стремлении к бесконечности числа измерений.
Показать АннотациюРазработан асимптотический метод расчета возмущений магнитного поля, вызванных наличием экрана с высокой электромагнитной проницаемостью, и предложен численный алгоритм его реализации.
Показать АннотациюРассчитана минимальная среднеквадратичная ошибка при восстановлении полезного сигнала $F_s(t)$ в экспериментах с пробными телами в условиях минимальной априорной информации: $sup_{-\infty <t<\infty} | F_s | = F_0$. Показано, что разрешающая способность механоэлектрических преобразователей на нелинейном реактивном элементе в режиме динамического демпфирования ограничена только флуктуациями предусилителя с известной минимальной шумовой температурой. Получены формулы для расчета среднеквадратичной ошибки в минимаксном критерии.
Показать АннотациюСопоставлены два метода изучения проводимости плазмы импульсного СВЧ разряда: на постоянном токе и на частоте поля, создающего разряд. Первый из них справедлив независимо от длины и формы канала СВЧ разряда в волноводе и не ограничен величиной скин-эффекта. По оценке концентрация электронов в канале СВЧ разряда в условиях эксперимента при атмосферном давлении составляет $10^{16}-10^{17}$ см$^{-3}$.
Показать АннотациюОписан метод синтеза двухкомпонентных многослойных оптических покрытий, работающих при наклонном падении света. Метод включает в себя два этапа: прямой перебор и минимизацию отобранных начальных приближений. Приведен эффективный способ вычисления градиента оценочного функционала.
Показать АннотациюРассматривается метод синтеза оптических покрытий с заданными спектральными характеристиками, основанный на необходимых условиях оптимальности системы. Метод особенно эффективен в тех случаях, когда неизвестно хорошее начальное приближение. Приведены численные примеры синтеза широкополосных просветляющих покрытий и светоделителя.
Показать АннотациюПредложен способ расчета статистических характеристик нелинейного дифрагирующего шума. Впервые учтена пространственная некогерентность полей в задачах нелинейной акустики. Рассмотрен пример дифракции шума с широким спектром, иллюстрирующий взаимное влияние временной и пространственной статистик уже в линейном приближении.
Показать АннотациюРассмотрена безразмерная величина $\lambda = 150 (М/\rho)^{1/3}/r$, (М - мольная масса, $\rho$ - плотность, r - удельное сопротивление в мкОм$\cdot$см), интерпретируемая как отношение средней длины свободного пробега электронов к расстоянию между ионами. Найдена простая формула, описывающая зависимость $\lambda$ от температуры и давления через посредство зависимости от плотности $(\rho) :\lambda = const\cdot \rho^2/(\rho_0—\rho)$, где $\rho_0$ - параметр. Показано, что найденная формула пригодна для описания электропроводности, жидких и твердых металлов в широкой области состояний.
Показать АннотациюВ рамках ограниченной круговой задачи трех тел рассмотрены оптимальные двухимпульсные перелеты с круговой околоземной орбиты на асимптотическую траекторию, ведущую в точку либрации $L_2$. При построении импульсных траекторий использовались метод многих конических сечений и теория базис-векторов Лоудена. Минимальные энергетические затраты соответствуют 77-часовому перелету. Для этого перелета суммарные затраты составляют 3468,3 м/с.
Показать АннотациюПоказано, что в релаксационном полупроводнике может возникать дополнительное статическое случайное поле под действием внешнего электрического поля и света.
Показать АннотациюИсследуются температурные зависимости электросопротивления, структуры и химического состава пленок $GdFe_2$ разной толщины, полученных в разных режимах разряда с осциллирующими электронами. Показано, что процесс кристаллизации зависит от толщины пленки и от режима разряда. Обнаружен и объяснен гистерезисный ход температурной зависимости электросопротивления. Данные химического анализа показывают, что кристаллизованные пленки $GdFe_2$ устойчивы к воздействию воздуха.
Показать АннотациюМетодом контактной разности потенциалов исследованы процессы перезарядки ловушек в анодном оксиде на поверхности GaAs при освещении. Показано, что в зависимости от условий получения оксида и последующих обработок изменяются концентрация ловушек для электронов и дырок, степень дефектности переходной области. Сделаны предположения о природе центров захвата дырок.
Показать АннотациюИзучены зависимости оптического заряжения поверхности германия от экспозиции облучения и температуры в широких диапазонах интенсивностей ($Р=10^{-4}-10^9 Вт/см^2$) и длительностей ($\tau = 3\cdot 10^{-11}-10^2с$) освещения. Показано, что величина фотоинжектированного в окисный слой заряда определяется экспозицией $P_{\tau}$ и не зависит от интенсивности света. Оценена температура тонкого ($\sim$20 нм) поверхностного слоя образца непосредственно в момент лазерного импульса.
Показать АннотациюПроведено теоретическое рассмотрение влияния эффектов корреляции на дифференциальные и интегральные сечения когерентного комптоновского рассеяния (КР) в совершенных кристаллах. Исследована зависимость сечений от угла рассеяния, энергии квантов КР, ориентации вектора рассеяния по отношению к вектору обратной решетки, от порядка отражения и характерного размера электронных оболочек. Результаты расчетов могут использоваться при постановке и интерпретации экспериментов по наблюдению когерентного КР.
Показать АннотациюДля энергий падающих фотонов порядка нескольких сотен электронвольт рассчитаны дифференциальные сечения процесса ($\gamma, 2е$) на атоме гелия. Показано, что учет взаимодействия трех заряженных частиц в конечном состоянии существенно влияет на поведение кривых угловых корреляций конечных электронов.
Показать АннотациюИзложены результаты применения методики анализа нестационарных процессов в электронике СВЧ к перспективному классу СВЧ приборов, усиливающих и преобразующих короткие и сверхкороткие импульсы электромагнитного поля. Приведены нелокальные по времени нестационарные условия излучения.
Показать АннотациюСделана интерпретация экспериментальных спектроскопических данных, полученных ранее методом бигармонической накачки в растворах органических красителей. Показано, что хотя учет эффектов немарковости процесса колебательной релаксации практически не меняет оценок времени поперечной релаксации, именно он определяет дисперсию нелинейной восприимчивости в области растроек частот накачки порядка 10 $см^{-1}$.
Показать АннотациюМетод антенного потенциала применяется для решения задачи дифракции на теле, расположенном около плоской границы. Приводятся результаты численного расчета дифракции поля плоской волны и точечного источника на сфере и вытянутом эллипсоиде вблизи плоскости.
Показать АннотациюИсследовалась зависимость скоростей магнитной релаксации протонов воды в растворах белков и аминокислот от величины рН раствора. Установлено, что изменение среднего молекулярного заряда существенно влияет на скорости релаксации.
Показать АннотациюИсследована внутриклеточная флуоресценция красителя-фотосенсибилизатора (гематопорфирина) при его связывании с нормальными и злокачественными клетками. Изучены пространственное распределение красителя в клетке, зависимость интенсивности флуоресценции клеток культуры от времени выдерживания в красителе, а также влияние изменения кислотности среды на проникновение порфирина в клетку.
Показать АннотациюОбнаружена примесная электролюминесценция (ЭЛ) GaAs: V при $\epsilon >7\cdot 10^3$ В/см и T = 80-300 К. Наблюдается близкое соответствие формы полос ЭЛ спектрам поглощения в области $h\nu \sim 1,1$ эВ и фотолюминесценции в области $h\nu \sim 0,7$ эВ. Показано, что ЭЛ в области $\sim$0,7 эВ обусловлена внутрицентровыми переходами атомов $V^0$, а в области $\sim$1,1 эВ - атомов $V^-$.
Показать АннотациюПолучено решение уравнений Назарова-Гурова для взаимной диффузии с учетом неравновесных вакансий для специального вида их начального распределения. Показана эволюция кривых распределения избыточных вакансий и отклонения от равновесного значения концентрации атомов сорта А для различных значений параметров.
Показать АннотациюОптические принципы применены к анализу дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с постоянным градиентом деформации. Физическая интерпретация рассеяния рентгеновских лучей основана на построении фазовых слоев, интерференционное взаимодействие которых объясняет структуру кривых дифракционного отражения от кристаллов с постоянным градиентом деформации. Эту модель можно использовать для построения стартового приближения при решении обратных задач восстановления строения искаженных приповерхностных слоев.
Показать АннотациюИзучены угловые зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии монокристалла меди при бомбардировке мишени вблизи ряда направлений и плоскостей с малыми индексами. Установлено, что уже на глубине выхода вторичных электронов проявляется плоскостная упорядоченность мишени.
Показать АннотациюМетодом рэлеевского рассеяния Мёссбауэровского излучения измерены анизотропные факторы Дебая-Валлера для монокристаллов Sb и Bi. Полученные результаты выгодно отличаются от результатов рентгено- и нейтронодифракционных экспериментов благодаря отсутствию вклада теплового диффузного рассеяния. Результаты могут быть использованы для развития динамических моделей кристаллов Sb и Bi.
Показать АннотациюОбнаружено резкое снижение интенсивности фотолюминесценции в областях пленок а-Si:Н, граничащих с металлом. Для объяснения этого эффекта исследована дифракция электронов. Путем корректной нормировки интерференционной функции рассчитаны радиальные функции распределения. Оказалось, что образцы различаются по координационным числам и радиусам первой координационной сферы. С этим связаны различия в спектре плотности состояний слоев a-Si:H на разных подложках.
Показать АннотациюПроведены измерения температурных зависимостей диэлектрических и пироэлектрических свойств кристаллов декагидратов алюмометиламмониевых квасцов вблизи температуры 145 К. На основании полученных результатов делается вывод о существовании при 145,3 К изоструктурного дипольного упорядочения, которое может быть связано с упорядочением молекул $H_2O$ или групп $CH_3NH_3$.
Показать Аннотацию