Статья

О природе ловушек в оксидном слое на поверхности арсенида галлия

А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров, А.Н. Образцов, Ю.Н. Сосновских, И.Н. Сорокин

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1986. № 5. С. 53

Статья

Аннотация

Методом контактной разности потенциалов исследованы процессы перезарядки ловушек в анодном оксиде на поверхности GaAs при освещении. Показано, что в зависимости от условий получения оксида и последующих обработок изменяются концентрация ловушек для электронов и дырок, степень дефектности переходной области. Сделаны предположения о природе центров захвата дырок.

English citation: The nature of traps in an oxide film on a gallium arsenide surface

A.V. Zoteev, P.K. Kashkarov, A.N. Obraztsov, Yu.N. Sosnovskikh, I.N. Sorokin

Авторы

А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров, А.Н. Образцов, Ю.Н. Сосновских, И.Н. Сорокин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 5, 1986

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.