Примесная электролюминесценция GaAs, легированного V

Обнаружена примесная электролюминесценция (ЭЛ) GaAs: V при $\epsilon >7\cdot 10^3$ В/см и T = 80-300 К. Наблюдается близкое соответствие формы полос ЭЛ спектрам поглощения в области $h\nu \sim 1,1$ эВ и фотолюминесценции в области $h\nu \sim 0,7$ эВ. Показано, что ЭЛ в области $\sim$0,7 эВ обусловлена внутрицентровыми переходами атомов $V^0$, а в области $\sim$1,1 эВ - атомов $V^-$.