Статья

Определение электрофизических параметров сильно легированного кремния на высокоомной подложке по пропусканию длинноволнового ИК излучения

О.Г. Кошелев, Т.Б. Плескачева

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1988. № 1. С. 75

Статья

Аннотация

Предлагается, метод определения поверхностного сопротивления и времени свободного пробега носителей легированного слоя полупроводника в области длин волн 20-130 мкм с толщиной, недостаточной для наблюдения плазменного минимума.

English citation: Determination of the electrophysical parameters of a highly doped silicon layer on a high-resistance substrate from the transmission of the layer for long-wave infrared radiation

O.G. Koshelev, Т.B. Pleskacheva

Авторы

О.Г. Кошелев, Т.Б. Плескачева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников; кафедра научной информации МГУ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 1, 1988

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.