Аннотация
Предлагается, метод определения поверхностного сопротивления и времени свободного пробега носителей легированного слоя полупроводника в области длин волн 20-130 мкм с толщиной, недостаточной для наблюдения плазменного минимума.
English citation: Determination of the electrophysical parameters of a highly doped silicon layer on a high-resistance substrate from the transmission of the layer for long-wave infrared radiation
O.G. Koshelev, Т.B. Pleskacheva
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
О.Г. Кошелев, Т.Б. Плескачева
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников; кафедра научной информации МГУ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников; кафедра научной информации МГУ. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2