Аннотация
Показано, что возбуждение локальных фононов на границе раздела $Ge—GeO_2$ излучением $CO_2$-лазера приводит к ускорению релаксации заряда в медленных электронных состояниях, расположенных вблизи указанной границы.
English citation: Acceleration of charge relaxation of slow sшface states of germanium subjected
to IR-laser radiation
А.V. Zoteev, V.F. Кiselev, and G.S. Plotnikov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.В. Зотеев, В.Ф. Киселев, Г.С. Плотников
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2