Выпуск 6, 1989
Асимметрия испускания нейтрино в магнитном поле и самоускорение нейтронных звезд. II.
Асимметрия испускания нейтрино в магнитном поле и самоускорение нейтронных звезд. II.
Ю.М. Лоскутов, К.В. Парфенов
Анализируется индуцируемая внешним магнитным полем асимметрия испускания нейтрино в модифицированном УРКА-процессе с учетом влияния плотной нуклонной среды. Результаты применяются для изучения эффекта самоускорения нейтронной звезды.
Показать АннотациюАнализ явления резонансного поглощения электромагнитных волн методом дискретных источников
Анализ явления резонансного поглощения электромагнитных волн методом дискретных источников
Ю.А. Еремин, А.Г. Свешников
Рассматривается вопрос создания теоретических основ дозиметрии электромагнитных излучений. На основе реализации метода дискретных источников исследуются эффекты резонансного поглощения электромагнитных волн биологическими рассеивателями.
Показать АннотациюОптимизация метода идентификации частиц по форме импульса в кристалле CsI(Tl)
Оптимизация метода идентификации частиц по форме импульса в кристалле CsI(Tl)
А.А. Гусев, М.И. Панасюк, Г.И. Пугачева, Л. Михаэли, Я. Шалига
Сравниваются различные методы численного анализа формы сцинтилляционного импульса в кристалле CsI(Tl), реализованные с помощью микропроцессорного устройства. Показано, что наиболее эффективен численный метод, основанный на сравнении измеренного профиля с эталонным.
Показать АннотациюРасчет спектра излучения твердотельного лазера с периодически меняющейся длиной резонатора
Расчет спектра излучения твердотельного лазера с периодически меняющейся длиной резонатора
О.Н. Евдокимова, Л.Н. Капцов, Ким Гван
На модели балансных уравнений 15-модового лазера численно показано, что эффект расширения спектра генерации и образование провала в середине спектра при периодически меняющейся длине резонатора наблюдаются в ограниченной сверху области частот, зависящей от амплитуды качания зеркала.
Показать АннотациюМеханизм взаимодействия фотосенсибилизатора порфиринового типа с липидным бислоем клеточной мембраны: математическая модель и флуоресцентная спектроскопия
Механизм взаимодействия фотосенсибилизатора порфиринового типа с липидным бислоем клеточной мембраны: математическая модель и флуоресцентная спектроскопия
Н.В. Степанова, Е.Б. Черняева
Исследована модель динамики внутриклеточного накопления гематопорфирина (ГП) — фотосенсибилизатора, используемого в фотодинамической терапии рака. Предложен метод определения константы взаимодействия ГП с липидами с помощью анализа спектров флуоресценции ГП в суспензии липосом.
Показать АннотациюО диалоговом подходе к решению задачи анализа и интерпретации мёссбауэровского спектра
О диалоговом подходе к решению задачи анализа и интерпретации мёссбауэровского спектра
А.А. Козлов, В.И. Николаев, Ю.П. Пытьев, В.С. Русаков, А.Ю. Селина
На примере мёссбауэровского фазового анализа одного из образцов литиевой шпинели продемонстрированы принципиально новые возможности и преимущества диалогового подхода, который обеспечивает целенаправленность и оперативность в решении задачи анализа и интерпретации экспериментальных данных.
Показать АннотациюВлияние насыщения на структуру поля суперлюминесценции в анизотропно усиливающей среде
Влияние насыщения на структуру поля суперлюминесценции в анизотропно усиливающей среде
Н.А. Домнина, В.В. Лебедева, А.И. Одинцов, Р.И. Соколовский
Теоретически и экспериментально исследовано влияние насыщения усиления на оптические характеристики суперлюминесценции в сильноточном газовом разряде на линии NeI $\lambda$=614,3 нм. Качественные изменения в структуре поля объясняются различным темпом насыщения $\pi$ - и $\sigma$-компонент излучения в анизотропно усиливающей среде.
Показать АннотациюКомбинированная синхронизация мод $Ar^+$-лазера
Комбинированная синхронизация мод $Ar^+$-лазера
А.А. Ангелуц, Д.П. Криндач, В.И. Новодережкин
Теоретически и экспериментально исследованы активный, пассивный и комбинированный режимы синхронизации мод $Ar^+$-лазера. Рассмотрены зависимости длительности и энергии импульсов от плотности их энергии в усилителе и прозрачности выходного зеркала.
Показать АннотациюЭкспериментальное определение параметров течения за сферическими ударными волнами
Экспериментальное определение параметров течения за сферическими ударными волнами
А.М. Галкин, Д.А. Мазалов, Н.Н. Сысоев, Ф.В. Шугаев
Проведены систематические экспериментальные исследования поля течения газа при фокусировании лазерного излучения на преграду в воздухе. Определены границы применимости теории точечного взрыва для описания газодинамических процессов ($\lambda\sim 0,7$ мкм).
Показать АннотациюОценка числа астероидов с радиусами более десяти километров
Оценка числа астероидов с радиусами более десяти километров
И.А. Герасимов, Е.Л. Винников
Проведена оценка числа астероидов с радиусами не менее 10 км. Показано, что число известных астероидов составляет около 20% от общего числа. Такая же оценка дана для малых планет группы Гильды. Известное число их составляет около 40% от общего числа.
Показать АннотациюОбразование точечных дефектов на поверхности NaCl при облучении медленными ионами
Образование точечных дефектов на поверхности NaCl при облучении медленными ионами
В.Г. Бабаев, М.Б. Гусева, В.В. Хвостов
Приведены результаты исследования поверхности (100) NaCl методом спектроскопии характеристических потерь. Определен тип точечных дефектов, образующихся в результате облучения ионами аргона с энергиями от 100 до 2500 эВ и изменения их концентрации в процессе отжига.
Показать АннотациюИсследование зоны перемагничивания в окрестности зазора магнитопровода на высоких частотах
Исследование зоны перемагничивания в окрестности зазора магнитопровода на высоких частотах
В.Е. Зубов, Г.С. Кринчик
С помощью магнитооптического метода наблюдалось резкое расширение зоны перемагничивания поверхности в проводящем ферромагнетике в окрестности зазора при росте частоты. Установлено различие механизмов перемагничивания горизонтальной и нормальной к поверхности составляющих намагниченности.
Показать АннотациюОб изменении эмиссии атомов с поверхности монокристалла никеля при магнитном фазовом переходе
Об изменении эмиссии атомов с поверхности монокристалла никеля при магнитном фазовом переходе
Н.Г. Ананьева, А.Н. Матвеев, В.Н. Самойлов
С помощью моделирования на ЭВМ рассчитаны особенности эмиссии атомов из узла на поверхности грани (001) монокристалла Ni в направлениях, близких к нормали к поверхности, и впервые исследованы изменения траекторий эмитируемых частиц при p$\to$f переходе.
Показать АннотациюСтруктурные фазовые переходы в кристаллах с пространственной группой $C^5{}_{3v}$
Структурные фазовые переходы в кристаллах с пространственной группой $C^5{}_{3v}$
А.И. Лебедев
Проведен теоретико-групповой анализ фазовых переходов 2-го рода, допускаемых в кристаллах с пространственной группой $R3m(C^5{}_{3v})$ Проанализированы условия появления и устойчивость низкосимметричных фаз, рассмотрена физическая реализация параметра порядка для всех фазовых переходов.
Показать АннотациюОдномерная гравитация на замкнутом многообразии
Одномерная гравитация на замкнутом многообразии
А.П. Демичев, М.3. Иофа
Исследуется одномерная общековариантная теория поля на многообразии, топологически эквивалентном, окружности. Показана необходимость модификации в данной модели квантового BRST-оператора. Установлена связь с однопетлевыми амплитудами в полевой теории на евклидовом d-мерном пространстве.
Показать АннотациюАномалия общего содержания озона в северном полушарии в 1983 г.
Аномалия общего содержания озона в северном полушарии в 1983 г.
А.X. Хргиан, А.А. Куколева
Рассмотрены связь уменьшения общего содержания озона в Северном полушарии в 1983 г. с динамикой атмосферы, его распределение по вертикали и связь с температурой. Результаты получены на основе материала сборников «Ozone Data for the World» за 1984 г.
Показать АннотациюВлияние исходной дефектности кристалла GaAs на лазерно-индуцированную модификацию центров рекомбинации
Влияние исходной дефектности кристалла GaAs на лазерно-индуцированную модификацию центров рекомбинации
И.С. Бегичев, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко
Исследовалось лазерно-индуцированное дефектообразование в монокристаллах GaAs, исходная дефектность которых варьировалась посредством имплантации ионов $Ar^+$. Показано, что в зависимости от дозы имплантации лазерное излучение вызывает либо генерацию, либо отжиг центров. Обсуждается возможный механизм явления.
Показать АннотациюУскорение релаксации заряда медленных поверхностных состояний германия при воздействии излучения ИК-лазера
Ускорение релаксации заряда медленных поверхностных состояний германия при воздействии излучения ИК-лазера
А.В. Зотеев, В.Ф. Киселев, Г.С. Плотников
Показано, что возбуждение локальных фононов на границе раздела $Ge—GeO_2$ излучением $CO_2$-лазера приводит к ускорению релаксации заряда в медленных электронных состояниях, расположенных вблизи указанной границы.
Показать АннотациюВлияние частичной аморфизации поверхностного слоя на интегральные и дифференциальные кривые скользящей рентгеновской дифракции
Влияние частичной аморфизации поверхностного слоя на интегральные и дифференциальные кривые скользящей рентгеновской дифракции
И.А. Шипов, М.А. Андреева
Расчетным путем показано, что частичная аморфизация поверхностного слоя может уменьшать абсолютные значения интенсивности интегральных кривых РД ПВО, а наиболее достоверно обнаруживается в осциллирующем поведении «хвостов» дифференциальных кривых РД ПВО.
Показать АннотациюМагнитная фазовая диаграмма и анизотропия магнитоупругих свойств $Tb_{0,5} Dy_{0,5}$
Магнитная фазовая диаграмма и анизотропия магнитоупругих свойств $Tb_{0,5} Dy_{0,5}$
Г.И. Катаев, М.Р. Саттаров, А.М. Тишин
По экспериментальным значениям модулей Юнга вдоль различных кристаллографических направлений в магнитных полях до 1,45 Тл в области температур магнитных превращений построена магнитная фазовая диаграмма монокристалла $Tb_{0,5} Dy_{0,5}$
Показать АннотациюИсследование плотности локализованных электронных состояний в аморфном гидрированном кремнии методом частотной дисперсии емкости барьера Шоттки
Исследование плотности локализованных электронных состояний в аморфном гидрированном кремнии методом частотной дисперсии емкости барьера Шоттки
Р.В. Прудников
Показано, что кривые частотной дисперсии емкости барьера Шоттки на аморфных полупроводниках можно использовать для расчета распределения плотности электронных локализованных состояний в запрещенной зоне. Показано удовлетворительное согласие полученных результатов с известными из литературы.
Показать Аннотацию