Пространственное разрешение изображений при исследовании полупроводниковых структур методом локальной катодолюминесценции растрового электронного микроскопа

На основе моделирования электронных траекторий методом Монте-Карло проведен анализ пространственного разрешения при исследовании полупроводников в режиме локальной катодолюминесценции растрового электронного микроскопа. Показано, что высокое пространственное разрешение реализуется при ускоряющем напряжении 10-20 кВ. Экспериментальные результаты, полученные при исследовании КЛ n-GaP, находятся в соответствии с расчетными значениями пространственного разрешения.