Аннотация
Прыжковая релаксация электронов в неупорядоченных органических полупроводниках рассмотрена в рамках модели с диагональным беспорядком. Найдено изменение концентрации электронов на уровне протекания со временем на разных этапах релаксации, исследованы условия перехода от дисперсионного к нормальному (гауссову) переносу и определена зависимость дисперсионного параметра от температуры и степени беспорядка.
English citation: Low-temperature relaxation in disordered organic semiconductors
I.P. Zvyagin, A.V. Plyukhin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
И.П. Звягин, А.В. Плюхин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.