Краткое сообщение

Генерация дефектов в диэлектрическом слое структур $Ge-GeO_2$ при имплантации ионов $Ar^+$

П.К. Кашкаров, А.В. Колесников, А.В. Петров, И.Г. Стоянова

Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 1990. № 4. С. 88

Статья

Аннотация

Установлено, что имплантация ионов $Ar^+$ в пленку $GeO_2$ на поверхности Ge сопровождается генерацией ловушек для дырок в слое торможения ионов и ловушек для электронов в слое $GeO_2$ вблизи границы с Ge, что проявляется в увеличении нестабильности заряда поверхности при освещении.

English citation: $Ar^+$ ion implantation-induced production in the dielectric layer of $Ge-GeO_2$ structures

P.K. Kashkarov, A.V. Kolesnikov, A.V. Petrov, I.G. Stroyanova

Авторы

П.К. Кашкаров, А.В. Колесников, А.В. Петров, И.Г. Стоянова
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для химического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2

Выпуск 4, 1990

Moscow University Physics Bulletin

Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.