Выпуск 4, 1990
О релаксации нормальной скорости в кристалле
О релаксации нормальной скорости в кристалле
М.Ю. Ковалевский, В.А. Красников
На основе двух фундаментальных идей Н. Н. Боголюбова — концепции квазисредних и метода сокращенного описания — в рамках микроскопического рассмотрения учтено влияние кристаллической решетки на динамику сверхтекучей жидкости. Коэффициент торможения нормальной скорости выражен через корреляционную функцию. Найдены уравнения движения для плотностей аддитивных интегралов движения и сверхтекучего импульса. Доказана положительная определенность производства энтропии.
Показать АннотациюО некоторых априорных оценках решения задачи нелинейной диффузии
О некоторых априорных оценках решения задачи нелинейной диффузии
А.В. Щепетилов
Рассматривается краевая задача для квазилинейного параболического уравнения, описывающая процесс цементации при закалке стального образца. Проведено сравнение ее решения с решением аналогичной линейной задачи. Показано, что за счет выбора коэффициента диффузии, граничных и начальных условий в линейном случае можно получить двухстороннюю оценку решения нелинейной задачи через решения линейной.
Показать АннотациюФермионы в поле Ааронова—Бома: рассеяние и спиновые эффекты
Фермионы в поле Ааронова—Бома: рассеяние и спиновые эффекты
Д.В. Гальцов, С.А. Воропаев
Рассматриваются особенности рассеяния квантовых релятивистских частиц со спином 1/2 в калибровочном поле Ааронова—Бома. С этой целью используется модель соленоида радиуса $а$ с последующим предельным переходом $a\to 0$, причем сохраняется магнитный поток. Показано, что существует воздействие электромагнитного потенциала на начальное спиновое состояние частицы.
Показать АннотациюОб основном состоянии двумерного газа электронов в квантующем магнитном поле
Об основном состоянии двумерного газа электронов в квантующем магнитном поле
В.Р. Халилов
Показано, что энергия Ферми двумерного газа электронов в магнитном поле квантована. Получены приближенные формулы для энергии основного состояния электронов в слабом и сильном магнитном полях с учетом взаимодействий между ними при нулевой температуре. Из полученных результатов следует, что в зависимости от соотношения между параметрами задачи (плотность электронов, напряженность магнитного поля, орбитальный момент относительного движения) в системе электронов могут происходить фазовые переходы. Найдена простая формула, связывающая степень заполнения уровня Ландау в сильном магнитном поле с орбитальным моментом пары электронов.
Показать АннотациюГенерация массы при конечной температуре и плотности в модели Гросса—Невье
Генерация массы при конечной температуре и плотности в модели Гросса—Невье
А.С. Вшивцев, В.Ч. Жуковский, Б.В. Магницкий
Рассматривается влияние конечных значений температур и химического потенциала на генерацию массы в модели Гросса—Невье. Получены соотношения между массой, химическим потенциалом и температурой рассматриваемого газа фермионов.
Показать АннотациюДиссоциация кваркония в кварк-глюонной плазме
Диссоциация кваркония в кварк-глюонной плазме
Р.Н. Фаустов, И.Г. Василевская
В ряде экспериментов наблюдалось подавление рождения чармония $J/\Psi$ при столкновениях тяжелых ионов. Этот эффект может быть следствием образования кварк-глюонной плазмы, столкновений чармония с адронами, ядерных эффектов поглощения. В связи с этим представляет интерес диссоциация кваркония в кварк-глюонной плазме. В работе проведены расчеты для процессов $J/\Psi+g \to c+\bar{c}$ и $\Upsilon + g \to b+\bar{b}$ при различных температурах.
Показать АннотациюОпределение дисперсии волн открытых периодических структур методом пробного источника
Определение дисперсии волн открытых периодических структур методом пробного источника
В.И. Канавец, А.И. Слепков, А.В. Федоров
Изложен метод теоретического определения дисперсии волн в открытых периодических структурах, не требующий решения дисперсионного уравнения. Данный метод может быть использован при рассмотрении физических процессов в системах, характерных для релятивистской СВЧ-электроники.
Показать АннотациюФункция распределения огибающей и помехоустойчивость приема многолучевых сигналов
Функция распределения огибающей и помехоустойчивость приема многолучевых сигналов
Л.Н. Арефьева, Ю.В. Березин
Получена общая формула, определяющая функцию распределения огибающей $W(A)$ суперпозиции $N$ когерентных полей; результаты применены для решения задачи о помехоустойчивости приема информации, передаваемой по ионосферному каналу связи.
Показать АннотациюОбработка зондовых вольт-амперных характеристик при учете эффекта стока электронов на зонд
Обработка зондовых вольт-амперных характеристик при учете эффекта стока электронов на зонд
Л.М. Волкова, А.М. Девятов, М.А. Мальков, В.С. Николаев
Показано, что при проведении зондовых измерений в плазме разряда в He с хорошей точностью параметр стока можно считать не зависящим от энергии и равным $\delta=\delta (kT_e)$. При измерениях в плазме разряда в рамзауэровских газах Ar, Kr, Xe пренебрежение зависимостью параметра стока от энергии приводит к погрешностям $\sim$ 50—70% при определении как средней энергии электронов, так и их концентрации.
Показать АннотациюЧисленный анализ миграции энергии в модели фотосинтетической единицы
Численный анализ миграции энергии в модели фотосинтетической единицы
А.А. Демидов, Э.А. Чернявская
Рассматривается модельная задача зависимости эффективности переноса энергии между различными формами хлорофилла «а» в фотосинтетической единице (ФСЕ) без учета пространственной гетерогенности распределения этих форм в пределах ФСЕ и ориентации молекул хлорофилла «а» в пространстве.
Показать АннотациюДвухволновой твердотельный лазер с монохроматической накачкой
Двухволновой твердотельный лазер с монохроматической накачкой
В.Е. Надточеев, О.Е. Наний
Исследованы характеристики двухволнового твердотельного лазера на $YAG:Nd^{3+}$ с монохроматической накачкой. Получена высокостабильная двухволновая генерация на длинах волн $\lambda_1$ = 1,064 мкм и $\lambda_2$ = 1,318 мкм при введении в резонатор элемента с нелинейными потерями. Показана возможность управления интенсивностями генерируемых волн путем изменения температуры активного элемента.
Показать АннотациюО возможном механизме детектирования спектров в молекулярных вычислительных устройствах
О возможном механизме детектирования спектров в молекулярных вычислительных устройствах
А.С. Михайлов, И.Ю. Потеряйко
Предложен возможный механизм детектирования спектров в молекулярных вычислительных устройствах, основанный на туннелировании частиц вдоль молекулярно цепи, в которой профиль потенциала зависит от спектра падающего излучения. Выполнен расчет коэффициента туннелирования в простейшем случае потенциального профиля с конечным числом барьеров и провалов между ними.
Показать АннотациюИзучение структуры разнородных ассоциатов красителей в бинарных растворителях
Изучение структуры разнородных ассоциатов красителей в бинарных растворителях
Л.В. Левшин, А.М. Салецкий
Изучены спектрально-люминесцентные характеристики растворов смесей родаминовых красителей с метиленовым голубым в бинарных растворителях. Показано, что процессы их разнородной ассоциации определяются размером и составом сольватных оболочек молекул красителей. Предложен механизм, объясняющий потерю флуоресцентной способности разнородными ассоциатами изученных красителей.
Показать АннотациюШирокополосная ультразвуковая спектроскопия коллоидных сред на основе термооптического генератора звука
Широкополосная ультразвуковая спектроскопия коллоидных сред на основе термооптического генератора звука
А.А. Карабутов, М.П. Матросов, Н.Б. Подымова, В.А. Пыж
Предлагается схема широкополосного акустического спектрометра для изучения динамических свойств конденсированных сред. В качестве источника звуковых импульсов используется оптико-акустический генератор с термооптическим механизмом возбуждения звука. Получены частотные зависимости коэффициента поглощения звука в водных суспензиях бентонитовых глин в диапазоне 1—14 МГц, а также вычислены релаксационные параметры этих суспензий.
Показать АннотациюНамагниченность неодим-иттриевых ферритов-гранатов
Намагниченность неодим-иттриевых ферритов-гранатов
К.П. Белов, Н.В. Волкова, Л.А. Скипетрова
В интервале температур от 4,2 К до температуры Кюри изучена намагниченность пяти монокристаллов системы $Nd_xY_{3-x}Fe_5O_{12}$ ($х$ =0,0; 0,5; 0,95; 1,39; 1,72). Из результатов измерений делается вывод, что при гелиевой температуре кристаллографическое направление [110] является направлением легкого, а [111], [100] - промежуточного и трудного намагничивания соответственно. Показано, что согласие экспериментально найденных значений намагниченности с рассчитанными по теории Нееля достаточно хорошее, если предположить, что при температурах ниже 77 К в данных соединениях образуется неколлинеарная магнитная структура.
Показать АннотациюКалибровочная модель пятой силы
Калибровочная модель пятой силы
Г.А. Сарданашвили, Э.Г. Тимошенко
Построены лагранжиан и уравнения калибровочной модели пятого фундаментального взаимодействия и получены соответствующие поправки к ньютоновскому потенциалу.
Показать АннотациюАдсорбция заряженных частиц на поверхности металлов в методе двухчастичных функционалов плотности
Адсорбция заряженных частиц на поверхности металлов в методе двухчастичных функционалов плотности
А.М. Гаджиев, О.С. Еркович, В.В. Комаров, А.М. Попова
Рассматриваются свойства неоднородного электронного газа вблизи поверхности металла. Проводится численный анализ работы выхода для различных металлов и энергии адсорбции ионов и атомов водорода на поверхности W, Ir и Pd. Расчеты проводятся в рамках метода, где энергия системы является функционалом двухчастичной функции плотности, что позволяет учитывать обменно-корреляционные явления.
Показать АннотациюФоторазвал гелиеподобного иона водорода
Фоторазвал гелиеподобного иона водорода
С.М. Бурков$^1$, Н.А. Летяев$^2$, С.И. Страхова$^2$
С использованием $R$-матричного подхода рассчитаны сечения фоторазвала отрицательного иона водорода и параметры анизотропии углового распределения фотоэлектронов. Расчеты выполнены в приближении сильной связи шести состояний. Проведено сравнение с экспериментальными и теоретическими данными других авторов.
Показать АннотациюКвантовые флуктуации и сжатые состояния в нелинейном резонаторе
Квантовые флуктуации и сжатые состояния в нелинейном резонаторе
А.В. Белинский
Предложено квантовое решение задачи об эволюции поля в нелинейном резонаторе произвольной добротности. На примере происходящей в нем фазовой самомодуляции или параметрического усиления показана несостоятельность соответствующих полуклассических теорий. В частности, предсказываемая ими эффективность сжатия оказывается преувеличенной, а рекомендуемые режимы его достижения - не оптимальными.
Показать АннотациюЧисленное исследование поляризационного гистерезиса в двухпроходной оптической системе с нелинейной средой и поворотным зеркалом
Численное исследование поляризационного гистерезиса в двухпроходной оптической системе с нелинейной средой и поворотным зеркалом
В.А. Булохова, А.А. Голубков, Я.М. Жилейкин, В.А. Макаров
Исследована устойчивость стационарных состояний поля в поляризационном отражателе. Показано существование в нем поляризационной бистабильности и гистерезисных эффектов.
Показать АннотациюГруппы малых планет в случае соизмеримости третьего порядка
Группы малых планет в случае соизмеримости третьего порядка
Е.Л. Винников
Выделены группы резонансных астероидов третьего порядка и проведено статистическое описание самой многочисленной группы, соответствующей соизмеримости 5:2.
Показать АннотациюОценка глубины изостатической компенсации на Венере
Оценка глубины изостатической компенсации на Венере
Р.В. Габбасов
На основе данных разложения гравитационного поля и рельефа поверхности Венеры в ряд по сферическим функциям до 18-го порядка и степени методом передаточных функций оценена средняя глобальная глубина изостатической компенсации на Венере.
Показать АннотациюГенерация дефектов в диэлектрическом слое структур $Ge-GeO_2$ при имплантации ионов $Ar^+$
Генерация дефектов в диэлектрическом слое структур $Ge-GeO_2$ при имплантации ионов $Ar^+$
П.К. Кашкаров, А.В. Колесников, А.В. Петров, И.Г. Стоянова
Установлено, что имплантация ионов $Ar^+$ в пленку $GeO_2$ на поверхности Ge сопровождается генерацией ловушек для дырок в слое торможения ионов и ловушек для электронов в слое $GeO_2$ вблизи границы с Ge, что проявляется в увеличении нестабильности заряда поверхности при освещении.
Показать АннотациюЛазерная стимуляция нестационарного поглощения СВЧ-энергии в полупроводнике
Лазерная стимуляция нестационарного поглощения СВЧ-энергии в полупроводнике
А.Н. Бачурин, А.В. Козарь, С.А. Крупенко
Рассмотрено взаимодействие непрерывного СВЧ-излучения 8-мм диапазона длин волн и лазерного излучения ближней ИК-области в слое из чистого кристаллического кремния, расположенном в прямоугольном волноводе и полностью заполняющем поперечное сечение. Предложен экспериментальный метод исследования процессов диффузии фотоносителей, времени жизни носителей заряда.
Показать АннотациюОсобенности фотоэлектрических свойств особо чистого кремния
Особенности фотоэлектрических свойств особо чистого кремния
В.А. Морозова, О.Г. Кошелев, В.В. Остробородова
В спектрах фотопроводимости особо чистого кремния при 80 К обнаружены переходы с участием продольных акустических фононов и экситонов. Показано, что эффективные центры прилипания с концентрацией $\sim 5\cdot 10^{11}$ см$^{-3}$ на 3—4 порядка изменяют эффективное время жизни носителей при 80 К.
Показать АннотациюМоделирование электронной структуры аморфной системы Ni-Р
Моделирование электронной структуры аморфной системы Ni-Р
В.С. Степанюк, Б.Л. Григоренко, А.А. Кацнельсон, А. Сас, О.В. Фарберович
Сделана попытка проследить динамику изменения электронной структуры системы Ni-Р при увеличении концентрации фосфора. Показано влияние изменений, происходящих на 1-й и 2-й координационных сферах на электронную структуру исследуемой системы.
Показать АннотациюВлияние адсорбционно-десорбционных процессов на эффект переключения в пленке $VO_2$
Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на эффект переключения в пленке $VO_2$
С.Ю. Виниченко, Н.Л. Левшин, С.Ю. Поройков
Исследовалось влияние адсорбции донорных и акцепторных молекул на эффект переключения в пленках двуокиси ванадия. Обнаружено, что напряжение переключения возрастает при адсорбции донорных молекул и снижается в результате УФ-облучения.
Показать АннотациюПамяти Бориса Ивановича Спасского
Памяти Бориса Ивановича Спасского
Редколлегия журнала «Вестник Московского университета. Серия 3, Физика. Астрономия»
12 января 1990 г. скончался Борис Иванович Спасский — ученый, доктор физико-математических наук, профессор Московского университета, чье имя и научные труды по истории и методологии физики широко известны научной и педагогической общественности в нашей стране и за рубежом.
Показать Аннотацию