Аннотация
В спектрах фотопроводимости особо чистого кремния при 80 К обнаружены переходы с участием продольных акустических фононов и экситонов. Показано, что эффективные центры прилипания с концентрацией $\sim 5\cdot 10^{11}$ см$^{-3}$ на 3—4 порядка изменяют эффективное время жизни носителей при 80 К.
English citation: On photoelectric properties of ultrapure silicon
V.A. Morozova, O.G. Koshelev, V.V. Ostroborodova
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.А. Морозова, О.Г. Кошелев, В.В. Остробородова
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.