Аннотация
На нелегированных образцах a-Si:Н проведены комплексные исследования: поглощения (методом постоянного фототока), концентрации дефектов типа оборванных связей (ОС) (методом ЭПР), температурных зависимостей темновой и фотопроводимости. Для объяснения полученных результатов предложена модель, учитывающая наряду с ростом концентрации ОС рост концентрации мелких центров с энергетическим положением вблизи валентной зоны в щели подвижности а-Si:Н.
English citation: Temperature quenching of photoconductivity in undoped specimens of amorphous hydrogenated silicon obtained at different deposition temperatures
A.G. Kazanskii, I.V. Klimashin, O.I. Kon'kov, E.I. Terukov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.Г. Казанский, И.В. Климашин, О.И. Коньков, Е.И. Теруков
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.