Аннотация
При температуре 4,2 К для многодолинных полупроводниковых сплавов $Bi_{1-x}Sb_x$ (0,10 $\leq x \leq$ 0,167) n- и р-типа экспериментально изучено влияние одноосного сжатия вдоль бинарной и биссекторной осей до деформаций -0,2% на вольт-амперные характеристики, динамику развития пробоя и время жизни неравновесных носителей заряда. В целом результаты качественно объясняются на основе известных данных о происходящей при сжатии перестройке энергетического спектра этих материалов.
English citation: Current-voltage characteristics and dynamics of breakdown development in Bi-Sb semiconductor alloys upon uniaxial compression
E.V. Bogdanov, D.L. Shishkin
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Е.В. Богданов, Д.Л. Шишкин
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2