Аннотация
В ферромагнитном полупроводнике $HgCr_2Se_4$ ($Т_с\approx108$ К) кроме характерного "красного смещения" края оптического поглощения с понижением температуры наблюдалось и "красное смещение" спектров фотопроводимости и фотоэдс. Влияние магнитного упорядочения на зонную структуру проявилось также в температурных и магнитополевых зависимостях этих эффектов. На зависимостях относительного изменения фотоэлектрических эффектов в магнитном поле от температуры кроме максимума вблизи $Т_с$ обнаружен дополнительный максимум при $Т>Т_c$ для света с энергией $h\nu$, близкой к ширине запрещенной зоны. Появление этого максимума в парамагнитной области можно ожидать и для других магнитных полупроводников.
English citation: The influence of redshift of the optical absorption edge on photoelectric effects in ferromagnetic $HgCr_2Se_4$ semiconductor
R.Yu. Adushnaeva, I.K. Bol'nykh, G.N. Sever
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Р.Ю. Адушнаева, И.К. Больных, Г.Н. Север
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для физического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики для физического факультета. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2