Аннотация
В полупроводниковых сплавах висмут—сурьма $n$- и $p$-типа на образцах, оси которых не совпадают с кристаллографическими осями, при разогреве носителей заряда возникает поперечное электрическое поле. Основные особенности этого явления качественно объяснены на основе теории эффекта Сасаки—Шибуя и известных представлений об энергетическом спектре этих узкощелевых полупроводников.
English citation: Conduction anisotropy induced by the electric field in narrow-gap Bi-Sb semiconductors
E.V. Bogdanov, T.G. Kustova
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
Е.В. Богданов, Т.Г. Кустова
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2