Аннотация
Установлено, что в широкой области частот вещественная часть проводимости сильно легированного компенсированного полупроводника описывается законом $Re\sigma(\omega)\sim \omega^s$, где $s < 1$. Обсуждена частотная и температурная зависимость показателя степени $s$.
English citation: On the theory of frequency dependence of the conductivity of a strongly doped compensated semiconductor
V.F. Shitikov
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
В.Ф. Шитиков
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.