Аннотация
Исследована динамика изменения темновой проводимости после освещения пленок аморфного гидрированного кремния ($\alpha$-Si:Н) с различным уровнем легирования бором. Измерения проводились в интервале температур 270—470 К. Выявлены три процесса, определяющих изменение проводимости. Два из них, приводящие к увеличению проводимости, связаны с поверхностью пленки. Третий процесс имеет объемный характер. Рассмотрены возможные механизмы данных процессов.
English citation: Staebler-Wronski effect in amorphous hydrogenated p-type silicon films
A.G. Kazanskii
© 2016 Издательство Московского университета
Авторы
А.Г. Казанский
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики полупроводников. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2