Исследовалось дефектообразование в кристаллах фосфида галлия, облучаемых импульсами рубинового лазера, соответствующими области прозрачности для межзонных переходов. Показано, что эффективность дефектообразования возрастает с ростом исходной дефектности в приповерхностной области, связанной с особенностями физико-химической обработки образцов. Установлено, что процесс перестройки дефектов является атермическим. Концентрация лазерноиндуцированных центров гашения фотолюминесценции нелинейным образом зависит от энергии лазерных импульсов.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра общей физики и молекулярной электроники. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.