Проведен расчет анизотропных напряжений несоответствия в переходном слое между несогласованными по параметру решетки пленкой и подложкой в гетероструктурах типа CdHgTe/CdTe для различных способов взаимной ориентации пленки и подложки. Результат продемонстрировал незначительную роль этого слоя в создании дефектов в пленке по сравнению со случаем полного согласования. Показано, что для согласованной гетероструктуры типа CdHgTe/CdZnTe взаимодиффузия приводит к возникновению напряженного переходного слоя, который может стать источником дислокаций, проникающих в пленку.
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, физический факультет, кафедра физики низких температур. Россия, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 2
Бюллетень «Новости науки» физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.